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【24h】

Study of charge trapping/detrapping mechanism in SiO2/HfO2 stack gate dielectrics considering two-way detrapping

机译：考虑双向去捕集的SiO2 / HfO2堆叠栅电介质中电荷捕集/捕集机理的研究

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A theoretical model for analyzing the threshold voltage instability induced by charge trapping in the MOSFETs using high-k gate dielectric stacks has been developed. The focus of this work is to investigate the role of detrapped electrons to the gate, which has been taken as negligible before. A predominant role of that effect has been observed with decreasing effective oxide thickness. It has also been found that, this effect becomes non-trivial with higher trapping time.
机译：已经建立了用于分析由使用高k栅极电介质堆叠的MOSFET中的电荷俘获引起的阈值电压不稳定性的理论模型。这项工作的重点是研究被俘获的电子对栅极的作用，这种作用以前被认为可以忽略不计。随着有效氧化物厚度的减小，已经观察到该作用的主要作用。还已经发现，随着捕获时间的增加，这种效果变得不平凡。

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