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TCAD oriented simulation of single-electron transistors at device level

机译：面向TCAD的器件级单电子晶体管仿真

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摘要

In this paper we present a simulation approach for electron transport in single-electron devices based on a weak-coupling formulation for the linear-response transconductance of a quantum dot/reservoir system. A simulation tool devised for the simulation of single-electron transistors has been developed. It provides the equilibrium solution of the nonlinear Poisson equation for the classical charges in the bulk and the self-consistent solution of the 3D-Schroedinger-Poisson equation for the quantum dot. The finite temperature groundstate of the few-electron ensemble in the dot is extracted by evaluation of the Gibbs distribution. The program is coupled to a 3D modeling tool for flexible geometry specification.
机译：在本文中，我们提出了一种基于弱耦合公式的单电子器件中电子传输的模拟方法，该公式用于量子点/储层系统的线性响应跨导。已经开发出设计用于模拟单电子晶体管的模拟工具。它为本体中的经典电荷提供了非线性泊松方程的平衡解，并为量子点提供了3D-薛定inger-泊松方程的自洽解。通过评估吉布斯分布，提取出点中少数电子系的有限温度基态。该程序耦合到3D建模工具以实现灵活的几何规格。

著录项

  • 来源
    《》|1998年|203-206|共4页
  • 会议地点 Leuven(BE);Leuven(BE)
  • 作者

    A. Scholze; A. Schenk; W. Fichtner;

  • 作者单位

    Integrated Systems Laboratory, ETH-Zuerich ETH Zentrum, CH-8092 Zuerich, Switzerland;

    Integrated Systems Laboratory, ETH-Zuerich ETH Zentrum, CH-8092 Zuerich, Switzerland;

    Integrated Systems Laboratory, ETH-Zuerich ETH Zentrum, CH-8092 Zuerich, Switzerland;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体器件制造工艺及设备;
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