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1.
A Physically-Based Compact Model for LDMOS Transistors
机译:
LDMOS晶体管的基于物理的紧凑模型
作者:
James Victory
;
Colin C. McAndrew
;
Rainer Thoma
;
Kuntal Joardar
;
Margaret Kniffin
;
Steve Merchant
;
Diana Moncoqut
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
2.
Numerical Simulation of Infrared Laser Probing Techniques
机译:
红外激光探测技术的数值模拟
作者:
Robert Thalhammer
;
Frank Hille
;
Gerhard Wachutka
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
3.
Efficient Modeling of Spatially Varying Degeneracy in Monte Carlo Particle Simulation of Highly Doped Submicron HEMT
机译:
高掺杂亚微米HEMT蒙特卡罗粒子模拟中空间变异简并的有效建模
作者:
M. Isler
;
D. Liebig
;
K. Schuenemann
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
4.
Investigation of Non-Punch-Through IGBTs with different trench designs
机译:
不同沟槽设计的非穿通IGBT研究
作者:
V. Kartal
;
W. Gerlach
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
5.
The Modeling of Electromigration A New Challenge for TCAD ?
机译:
电迁移建模TCAD的新挑战?
作者:
W. Schoenmaker
;
V. Petrescu
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
6.
Influence of the S/D architecture on the Vt of deep submicron MOSFETs
机译:
S / D架构对深亚微米MOSFET的Vt的影响
作者:
Serge Biesemans
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
7.
3D-Simulation of an Enhanced Field-Funneling Effect on the Collection of Alpha-Particle-Generated Carriers in P~- on P~+ Epitaxial Substrates
机译:
对P〜+外延衬底上P〜-中的α-粒子产生的载流子收集增强场漏效应的3D模拟
作者:
T. Kunikiyo
;
K. Sonoda
;
T. Yamashita
;
K. Ishikawa
;
T. Nishimura
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
8.
A Simple Continuum Model for Simulation of Boron Interstitial Clusters based on Atomistic Calculations
机译:
基于原子计算的硼间隙团簇模拟的简单连续模型
作者:
Srinivasan Chakravarthi
;
Scott T. Dunham
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
9.
Simulation based development of EEPROM devices within a 0.35μm process
机译:
0.35μm工艺内基于EEPROM器件的仿真开发
作者:
R. Duffy
;
A. Concannon
;
A. Mathewson
;
C. de Graaf
;
M. Slotboom
;
R. Verhaar
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
10.
Two-Dimensional Simulation of Ferroelectric Nonvolatile Memory Cells
机译:
铁电非易失性存储单元的二维模拟
作者:
K. Dragosits
;
M. Knaipp
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
11.
Influence of the Poly Gate Depletion Effect on Programming EEPROM Cells
机译:
多晶硅栅耗尽效应对EEPROM单元编程的影响
作者:
F. Schiller
;
P. Klein
;
K. Hoffmann
;
O. Kowarik
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
12.
Industrial Demands on Process and Device Simulation
机译:
工业对过程和设备仿真的需求
作者:
A. v. Schwerin
;
A. Spitzer
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
13.
Point defect parameter extraction through their reaction with dislocation loops
机译:
通过与位错环的反应提取点缺陷参数
作者:
D. Skarlatos
;
C. Tsamis
;
M. Omri
;
A. Claverie
;
D. Tsoukalas
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
14.
Simulation of Be diffusion in the base layer of InGaAs/InP Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
In扩散在InGaAs / InP异质结双极晶体管基极层中的模拟
作者:
J. Marcon
;
S. Gautier
;
S. Koumetz
;
K. Ketata
;
M. Ketata
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
15.
Simulation of Dynamic Ionization Effects in 6H-SiC Devices
机译:
6H-SiC器件中动态电离效应的仿真
作者:
M. Lades
;
G. Wachutka
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
16.
New Hot-Carrier Degradation Mechanism for MOSFET Devices Using Two-Type Interface-State Model
机译:
使用两种接口状态模型的MOSFET器件新的热载流子降解机制
作者:
M. Yamaji
;
T. Itakura
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
17.
Modeling of Particle-Irradiated Devices
机译:
粒子辐照设备的建模
作者:
L. Colalongo
;
M. Valdinoci
;
M. Rudan
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
18.
Influence of the Ge concentration on the threshold voltage and subthreshold slope of nanoscale vertical Si/SiGe pMOSFETs
机译:
Ge浓度对纳米级垂直Si / SiGe pMOSFET的阈值电压和亚阈值斜率的影响
作者:
N. Collaert
;
K. De Meyer
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
19.
Anisotropic Ballistic In-Plane Transport of Electrons in Strained Si
机译:
应变硅中电子的各向异性弹道面内传输
作者:
F. M. Bufler
;
S. Keith
;
B. Meinerzhagen
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
20.
On The Modeling Of CV Data For State-Of-The-Art CMOS Technologies: Do We Need To Include Fast Interface States?
机译:
关于最新CMOS技术的CV数据建模:我们是否需要包括快速接口状态?
作者:
C. Jungemann
;
B. Meinerzhagen
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
21.
A Heterogeneous Environment for Computational Prototyping and Simulation Based Design of MEMS Devices
机译:
基于异构环境的MEMS原型设计与仿真
作者:
N. M. Wilson
;
Z. K. Hsiau
;
R. W. Dutton
;
P. M. Pinsky
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
22.
Bias-Dependent Low-Frequency Noise Model for Low Phase Noise InP HEMT based MMIC Oscillator Design
机译:
基于低偏置噪声的基于InP HEMT的MMIC振荡器的偏置相关低频噪声模型
作者:
H. van Meer
;
D. Schreurs
;
K. van der Zanden
;
W. De Raedt
;
E. Simoen
;
L. Kaufmann
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
23.
Simplified Simulator for Neutron-Induced Soft Errors Based on Modified BGR Model
机译:
基于修正的BGR模型的中子感应软误差简化模拟器
作者:
Y. Tosaka
;
H. Kanata
;
T. Itakura
;
K.Suzuki
;
S. Satoh
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
24.
Quantum effects in the simulation of conventional devices
机译:
传统设备仿真中的量子效应
作者:
A. Abramo
;
C. Fiegna
;
P. Casarini
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
25.
A Common Mesh Implementation for Both Static and Moving Boundary Process Simulations
机译:
静态和移动边界过程仿真的通用网格实现
作者:
Tao Chen
;
Daniel W. Yergeau
;
Robert W. Dutton
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
26.
A Dopant-Dependent Band Gap Narrowing Model Application for Bipolar Device Simulation
机译:
掺杂剂相关的带隙窄化模型在双极器件仿真中的应用
作者:
V. Palankovski
;
G. Kaiblinger-Grujin
;
H. Kosina
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
27.
3D Modeling of Sputter Process with Monte Carlo Method
机译:
蒙特卡罗方法对溅射过程进行3D建模
作者:
Yongchan Ban
;
Taeyoung Won
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
28.
Parallel and Distributed TCAD Simulations using Dynamic Load Balancing
机译:
使用动态负载平衡的并行和分布式TCAD仿真
作者:
R. Strasser
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
29.
AUTOMATIC MESH REFINEMENT FOR 3D NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL DIFFUSION IN SILICON
机译:
硅热扩散3D数值模拟的自动网格细化
作者:
Dorothee Brocard
;
Vincent Senez
;
Sebastien Bozek
;
Jerome Herbaux
;
Regis Bossut
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
30.
TCAD at the SRC
机译:
SRC的TCAD
作者:
R. Goossens
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
31.
TCAD in Selete
机译:
Tele中的TCAD
作者:
Nor ihiko Kotani
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
32.
Grid Adaptation for Device Simulation According to the Dissipation Rate
机译:
根据耗散率进行设备仿真的网格自适应
作者:
B. Schmithuesen
;
K. Gaertner
;
W. Fichtner
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
33.
A Hybrid Approach for Building 2D and 3D Conforming Delaunay Meshes Suitable for Process and Device Simulation
机译:
构建适用于过程和设备仿真的2D和3D符合Delaunay网格的混合方法
作者:
G. Garreton
;
L. Villablanca
;
N. Strecker
;
W. Fichtner
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
34.
Three-Dimensional Adaptive Mesh Relaxation
机译:
三维自适应网格松弛
作者:
M. Radi
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
35.
Monte Carlo modelling of spin relaxation in a III-V two dimensional electron channel
机译:
III-V二维电子通道中自旋弛豫的蒙特卡洛建模
作者:
A. Bournel
;
P. Dollfus
;
P. Bruno
;
P. Hesto
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
36.
Combining the Scattering Matrix and Spherical Harmonic Methods for Semiconductor Modeling
机译:
结合散射矩阵和球谐函数进行半导体建模
作者:
Zhiyi Han
;
Neil Goldsman
;
Mark Stettler
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
37.
Discretization of the Brillouin Zone by an Octree/Delaunay Method with Application to Full-Band Monte Carlo Transport Simulation
机译:
Octree / Delaunay方法离散化布里渊区并应用于全频带蒙特卡洛输运模拟
作者:
Bjoern Fischer
;
Karl R. Hofmann
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
38.
Rigorous Capacitance Simulation of DRAM Cells
机译:
DRAM单元的严格电容仿真
作者:
R. Martins
;
R. Sabelka
;
W. Pyka
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
39.
A Hybrid Technique for TCAD Modeling and Optimization
机译:
TCAD建模和优化的混合技术
作者:
B. Govoreanu
;
J. Kopalides
;
W. Schoenmaker
;
G. Dima
;
O. Mitrea
;
M.D. Profirescu
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
40.
A Qualitative Study on Optimized MOSFET Doping Profiles
机译:
优化MOSFET掺杂分布的定性研究
作者:
M. Stockinger
;
R. Strasser
;
R. Plasun
;
A. Wild
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
41.
Modeling Process and Transistor Variation for Circuit Performance Analysis
机译:
用于电路性能分析的建模过程和晶体管变化
作者:
L. Gruber
;
N. Khalil
;
D. A. Bell
;
J. Faricelli
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
42.
Simulation of SiGe Epitaxial Growth for RF-Bipolar Transistors
机译:
射频双极晶体管SiGe外延生长的仿真
作者:
S. Marksteiner
;
H. Schaefer
;
T.F. Meister
;
A. Spitzer
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
43.
Extension of Spherical Harmonic Method to RF Transient Regime
机译:
球谐方法扩展到射频暂态
作者:
C.-K. Lin
;
Neil Goldsman
;
C.-H. Chang
;
Isaak Mayergoyz
;
Sheldon Aronowitz
;
Jeffrey Dong
;
Nadya Belova
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
44.
Multiscale Modeling of the Implantation and Annealing of Silicon Devices
机译:
硅器件植入和退火的多尺度建模
作者:
G. H. Gilmer
;
L. Pelaz
;
C. Rafferty
;
M. Jaraiz
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
45.
Design Optimization of RF Power MOSFET's Using Large Signal Analysis Device Simulation of Matching Networks
机译:
匹配网络大信号分析设备模拟射频功率MOSFET的设计优化
作者:
F. M. Rotella
;
G. Ma
;
Z. Yu
;
R. W. Dutton
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
46.
Modeling of Temperature Dependence of a Floating Pad Structure's RF Properties
机译:
浮垫结构的射频特性与温度的关系建模
作者:
Tarja Riihisaari
;
Hannu Ronkainen
;
Hannu Kattelus
;
Hannu Hakojaervi
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
47.
Molecular Dynamics Analysis of Grain-Boundary Grooving in Thin-Film Interconnects for ULSIs
机译:
超大规模集成电路薄膜互连中晶界开槽的分子动力学分析
作者:
Tomio Iwasaki
;
Hideo Miura
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
48.
Integrated Three-Dimensional Topography Simulation and its Application to Dual-Damascene Processing
机译:
集成的三维地形模拟及其在双镶嵌处理中的应用
作者:
E. Baer
;
W. Henke
;
S. List
;
J. Lorenz
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
49.
Single Electron Memory Device Simulations
机译:
单电子存储设备仿真
作者:
K. Nakazato
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
50.
Continuous Field Analysis of Distributed Parasitic Effects Caused by Interconnects in High Power Semiconductor Modules
机译:
大功率半导体模块中互连引起的分布寄生效应的连续场分析
作者:
P. Boehm
;
E. Falck
;
J. Sigg
;
G. Wachutka
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
51.
Modeling Hole Surface- and Bulk-Mobility in the Frame of a Spherical-Harmonics Solution of the BTE
机译:
在BTE的球谐解决方案的框架中模拟孔的表面和体积运动
作者:
S. Reggiani
;
M. C. Vecchi
;
A. Greiner
;
M. Rudan
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
52.
Hydrodynamic model for hot carriers in silicon based on the maximum entropy formalism
机译:
基于最大熵形式的硅中热载流子的流体力学模型
作者:
M. Trovato
;
P. Falsaperla
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
53.
Integration of Lithography and Etch Simulations
机译:
光刻与蚀刻模拟的集成
作者:
Z. Krivokapic
;
W.D. Heavlin
;
D.S. Bang
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
54.
Statistical Circuit Modeling
机译:
统计电路建模
作者:
Colin C. McAndrew
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
55.
A new compact model for the analysis of the anomalies in I-V characteristics of Schottky diodes
机译:
用于分析肖特基二极管I-V特性异常的新紧凑模型
作者:
J. Racko
;
D. Donoval
;
V. Drobny
会议名称:
《》
|
1998年
56.
Analysis of the asymmetric breakdown characteristics of trench isolation structure by using TCAD
机译:
用TCAD分析沟槽隔离结构的非对称击穿特性。
作者:
S. Kumashiro
;
H. Kawaguchi
;
K. Imai
;
H. Matsumoto
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
57.
Derived Boundary Conditions for Viscous Thermal Oxidation Equations in Pressure Potential Form
机译:
压力势形式的粘性热氧化方程的导出边界条件
作者:
S. Mijalkovic
;
W. Joppich
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
58.
Recombination of Point Defects via Extended Defects and Its Influence on Dopant Diffusion
机译:
点缺陷通过扩展缺陷的重组及其对掺杂扩散的影响
作者:
D. Stiebel
;
P. Pichler
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
59.
A Physics Based Resistance Model of the Overlap Regions in LDD-MOSFETs
机译:
基于物理的LDD-MOSFET重叠区电阻模型
作者:
E. Gondro
;
F. Schuler
;
P. Klein
会议名称:
《》
|
1998年
60.
Characterisation of the Corner Effect by composed 2D Device Simulations
机译:
通过组合的2D设备仿真来表征转角效应
作者:
F. Lau
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
61.
Elimination of Non-Simultaneous Triggering Effects in Finger-type ESD Protection Transistors Using Heterojunction Buried Layer
机译:
使用异质结埋层消除手指型ESD保护晶体管的非同时触发效应
作者:
Chang-Hoon Choi
;
Zhiping Yu
;
Robert W. Dutton
会议名称:
《》
|
1998年
62.
A Physically-Based Electron Mobility Model for Silicon Device Simulation
机译:
用于硅器件仿真的基于物理的电子迁移模型
作者:
G. Kaiblinger-Grujin
;
T. Grasser
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
63.
Quasi 3-D Simulation of Quantum Well DFB Lasers
机译:
量子阱DFB激光器的准3D模拟
作者:
B. Witzigmann
;
F. Oyafuso
;
K. Hess
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
64.
Effects of scaling and lattice heating on n-MOSFET performance via electrothermal Monte Carlo simulation
机译:
通过电热蒙特卡洛模拟对结垢和晶格加热对n-MOSFET性能的影响
作者:
P.D. Yoder
;
W. Fichtner
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
65.
Dynamics of Arsenic dose loss at the SiO_2 interface during TED
机译:
TED过程中SiO_2界面上砷剂量损失的动力学
作者:
Reza Kasnavi
;
Peter B. Griffin
;
James D. Plummer
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
66.
Damage Accumulation by Arsenic Ion Implantation and Its Impact on Transient Enhanced Diffusion of As and B
机译:
砷离子注入引起的损伤累积及其对As和B瞬时增强扩散的影响
作者:
Kunihiro Suzuki
;
Norbert Strecker
;
Wolfgang Fichtner
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
67.
Modeling and Simulation of Oxygen Precipitation in CZ Silicon
机译:
CZ硅中氧析出的建模与模拟
作者:
B. G. Ko
;
S. H. Yoon
;
K. D. Kwack
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
68.
Modeling the trapping and de-trapping of phosphorus at the Si to SiO_2 interface
机译:
模拟磷在Si与SiO_2界面处的捕集和去捕集
作者:
H. -H. Vuong
;
C. S. Rafferty
;
J. Ning
;
J. R. McMacken
;
J. McKinley
;
F. A. Stevie
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
69.
A Systematic and Physically Based Method of Extracting a Unified Parameter Set for a Point-Defect Diffusion Model
机译:
基于系统的基于物理的点缺陷扩散模型的统一参数集提取方法
作者:
Hironori Sakamoto
;
Shigetaka Kumashiro
;
Hiroshi Matsumoto
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
70.
Coupled 3D Process and Device Simulation of Advanced MOSFETs
机译:
先进MOSFET的耦合3D工艺和器件仿真
作者:
K. Tietzel
;
A. Bourenkov
;
J. Lorenz
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
71.
Hydrodynamic Mixed-Mode Simulation
机译:
流体动力混合模式仿真
作者:
T. Grasser
;
V. Palankovski
;
G. Schrom
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
72.
Predictive Soft Error Rate Evaluation System
机译:
预测软错误率评估系统
作者:
Phil Oldiges
;
Brett Knowlton
;
Robert Flatley
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
73.
Statistically reliable 'Atomistic' Simulation of Sub 100 nm MOSFETs
机译:
亚100 nm MOSFET的统计可靠的“原子”仿真
作者:
A. Asenov
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
74.
Methods for model generation and parameter extraction for MEMS
机译:
用于MEMS的模型生成和参数提取的方法
作者:
Peter Voigt
;
Gabriele Schrag
;
Gerhard Wachutka
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
75.
Efficient Quantum Correction Model for Multi-dimensional CMOS Simulations
机译:
用于多维CMOS仿真的高效量子校正模型
作者:
MeiKei Ieong
;
Ronald Logan
;
James Slinkman
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
76.
The Role of Quantization Effects in Inversion Hole Layers of Tunnel MOS Structures on n-Si Substrates
机译:
量化效应在n-Si衬底上的隧道MOS结构的反转孔层中的作用
作者:
A.F. Shulekin
;
M.I. Vexler
;
H. Zimmermann
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
77.
Multi-dimensional Quantum Effect Simulation Using a Density-Gradient Model and Script-Level Programming Techniques
机译:
使用密度梯度模型和脚本级编程技术的多维量子效应仿真
作者:
C.S. Rafferty
;
B. Biegel
;
Z. Yu
;
M.G. Ancona
;
J. Bude
;
R.W. Dutton
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
78.
Microsystem CAD: From FEM to System Simulation
机译:
微系统CAD:从FEM到系统仿真
作者:
Peter Schwarz
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
79.
Simulation of Electron Mobility in Ultrathin Fully Depleted Single Gate SOI MOSFETs
机译:
超薄全耗尽单栅极SOI MOSFET中电子迁移率的仿真
作者:
F. Gamiz
;
J. A. Lopez-Villanueva
;
J.B. Roldan
;
J.E. Carceller
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
80.
Scattering Theory of Carrier Transport in Semiconductor Devices
机译:
半导体器件中载流子的散射理论
作者:
Mark Lundstrom
;
Carl Huster
;
Kausar Banoo
;
Ramesh Venugopal
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
81.
Improved Modeling Of Bandgap-Narrowing Effects in Silicon p~+~+ Junctions
机译:
硅p〜+ / n〜+结中带隙变窄效应的改进建模
作者:
D. Vietzke
;
D. Reznik
;
M. Stoisiek
;
W. Gerlach
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
82.
Device Simulator Calibration for Quartermicron CMOS Devices
机译:
四分之一微米CMOS器件的器件模拟器校准
作者:
T. Grasser
;
R. Strasser
;
M. Knaipp
;
K. Tsuneno
;
H. Masuda
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
83.
Origin of Drain-Current Oscillation on Ultra-Thin-SOI n-MOSFET
机译:
超薄SOI n-MOSFET上漏极电流振荡的起因
作者:
T. Takahashi
;
M. Miura-Mattausch
;
Y. Omura
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
84.
Minimizing Bitline Coupling Noise in DRAM with Capacitor-Equiplanar-to-Bitline (CEB) Cell Structure
机译:
电容等平面到位线(CEB)单元结构可将DRAM中的位线耦合噪声降至最低
作者:
Li-Fu Chang
;
Yu-Ming Hsu
;
Min-hwa Chi
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
85.
Simulation of AVC Measurements
机译:
AVC测量的模拟
作者:
M. Rottinger
;
N. Seifert
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
86.
Statistical Modeling based on extensive TCAD simulations Proposed methodology for extraction of Fast/Slow models and Statistical models
机译:
基于大量TCAD模拟的统计建模提出的用于提取快速/慢速模型和统计模型的方法
作者:
Eric Vandenbossche
;
George Kopalidis
;
Marnix Tack
;
Wim Schoenmaker
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
87.
TCAD oriented simulation of single-electron transistors at device level
机译:
面向TCAD的器件级单电子晶体管仿真
作者:
A. Scholze
;
A. Schenk
;
W. Fichtner
会议名称:
《》
|
1998年
88.
Quantum Electron-Phonon Interaction for Transport in Open Nanostructures
机译:
在开放纳米结构中传输的量子电子-声子相互作用。
作者:
P. Bordone
;
R. Brunetti
;
M. Pascoli
;
C. Jacoboni
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
89.
Improving the quality of Delaunay triangulations for the control volume discretization method
机译:
控制量离散化方法提高Delaunay三角剖分的质量
作者:
Nancy Hitschfeld
;
Maria-Cecilia Rivara
;
Mauricio Palma
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
90.
ELECTROMAGNETIC SIMULATION FOR THE MODELING OF INTERCONNECTS
机译:
互连建模的电磁仿真
作者:
P.A. ROLLAND
;
N. HAESE
;
F. DHONDT
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
91.
Layout-Based 3D Solid Modeling of IC Structures and Interconnects Including Electrical Parameter Extraction
机译:
IC结构和互连的基于布局的3D实体建模,包括电参数提取
作者:
Xiaoning Qi
;
Sherry Y. Shen
;
Ze-Kai Hsiau
;
Zhiping Yu
;
Robert Dutton
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
92.
Exponential Expansion for Rapid and Accurate Extraction of Interconnect Capacitance
机译:
快速准确提取互连电容的指数级扩展
作者:
Hoan H. Pham
;
Arokia Nathan
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
93.
A comprehensive model of a VLSI spiral inductor derived from the first principles
机译:
源自第一原理的VLSI螺旋电感器的综合模型
作者:
V.I. Koldyaev
;
S. Decoutere
;
R. Kuhn
;
L. Deferm
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
94.
Development of a gas-phase chemistry model for numerical prediction of MOVPE of GaN in industrial scale reactors
机译:
开发用于工业规模反应器中GaN MOVPE数值预测的气相化学模型
作者:
Yu.E. Egorov
;
Yu.N. Makarov
;
I.N. Przhevalskij
;
R.A. Talalaev
;
G. Strauch
;
D. Schmitz
;
M. Heuken
;
H. Juergensen
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
95.
Modeling of flow and heat transfer in a vertical reactor for the MOCVD of zirconium-based coatings
机译:
垂直反应器中基于MOCVD的锆基涂层的流动和传热建模
作者:
M. Dauelsberg
;
L. Kadinski
;
C. Schmidt
;
C. Allenbach
;
M. Morstein
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
96.
Efficient Algorithms for Three-Dimensional Etching and Deposition Simulation
机译:
三维蚀刻与沉积仿真的高效算法
作者:
W. Pyka
;
R. Martins
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
97.
Correlation of Finite Element Stress Simulations with Electromigration-Induced Fractures in Tungsten Plug Structures
机译:
钨塞结构中有限元应力模拟与电迁移引起的断裂的相关性
作者:
S. Chaudhry
;
P. A. Layman
;
J. S. Huang
;
A. S. Oates
;
S. M. Merchant
;
J. Q. Zhao
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
98.
Accurate Layout-Based Interconnect Analysis
机译:
基于布局的准确互连分析
作者:
R. Sabelka
;
R. Martins
;
S. Selberherr
会议名称:
《Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98)》
|
1998年
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