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首页> 外文会议>Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98) >Influence of the Ge concentration on the threshold voltage and subthreshold slope of nanoscale vertical Si/SiGe pMOSFETs
【24h】

Influence of the Ge concentration on the threshold voltage and subthreshold slope of nanoscale vertical Si/SiGe pMOSFETs

机译：Ge浓度对纳米级垂直Si / SiGe pMOSFET的阈值电压和亚阈值斜率的影响

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An analytical model has been set up to investigate the influence of SiGe in the source on the threshold voltage and subthreshold behaviour of heterojunction pMOSFETs. The use of SiGe in the source region of the pMOSFET introduces an extra degree of freedom for fine-tuning of the subthreshold and on-state behaviour of the devices. It will be shown that the short channel behaviour of these devices is greatly improved in comparison with vertical homojunction Si structures. Careful design and optimisation of these devices show that the use of Ge is only advantageous for sub 0.1 μm devices. Structures with channel lengths down to 30 nm exhibit promising characteristics.
机译：建立了一个分析模型来研究源中SiGe对异质结pMOSFET的阈值电压和亚阈值行为的影响。在pMOSFET的源极区域中使用SiGe会为微调亚阈值和器件的导通状态行为带来额外的自由度。可以看出，与垂直同质结Si结构相比，这些器件的短沟道性能得到了极大的改善。这些设备的仔细设计和优化表明，Ge的使用仅对0.1μm以下的设备有利。沟道长度低至30 nm的结构展现出令人鼓舞的特性。

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