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SiGe-Si-SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件

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本发明涉及一种SiGe‑Si‑SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件，该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底内设置隔离区；(c)利用光刻工艺在所述GeOI衬底内形成P型沟槽和N型沟槽；(d)利用离子注入工艺，在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；(e)光刻引线孔并钝化处理以完成所述异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基固态等离子体PiN二极管。

著录项

公开/公告号CN106783602B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-09

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201611188525.8
发明设计人王斌;苏汉;康海燕;胡辉勇;杨佳音;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜;郝敏如;
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申请日2016-12-20
分类号
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人闫家伟
地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2022-08-23 11:00:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-09

授权

授权
2017-06-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20161220

实质审查的生效
2017-05-31

公开

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