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首页> 外文会议>Simulation of semiconductor processes and devices 1998(SISPAD98) >A Physically-Based Electron Mobility Model for Silicon Device Simulation
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A Physically-Based Electron Mobility Model for Silicon Device Simulation

机译：用于硅器件仿真的基于物理的电子迁移模型

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We present an analytical low-field electron mobility formula for silicon which treats the dependence on all common dopants, such as P, As, Sb, and B in a unified manner. The expressions are derived from Monte-Carlo (MC) calculations which are based on a theoretical approach to ionized impurity scattering that inherently distinguishes the dopant species. From these first principle data we derive analytical expressions for the majority and minority mobility valid in the temperature range (70-500 K) and up to an impurity concentration of 10~(22) cm~(-3). The agreement with experimental data is excellent. Not only the lower majority electron mobility in As- and Sb-doped Si, but also the higher minority electron mobility in B-doped Si compared to the majority mobility is confirmed. Hence, this universally usable mobility model is very well suited for device simulation purposes.
机译：我们提供了一种用于硅的解析低场电子迁移率公式，该公式以统一的方式处理了对所有常见掺杂剂（例如P，As，Sb和B）的依赖性。这些表达式是从蒙特卡洛（MC）计算得出的，该计算基于一种固有地区分掺杂物种类的电离杂质散射的理论方法。从这些第一原理数据中，我们得出了在温度范围（70-500 K）和杂质浓度高达10〜（22）cm〜（-3）内有效的多数和少数迁移率的解析表达式。与实验数据的一致性非常好。与多数迁移率相比，不仅确认了As和Sb掺杂的Si中较低的多数电子迁移率，而且还确认了B掺杂的Si中较高的少数电子迁移率。因此，这种通用的移动性模型非常适合用于设备仿真。

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