Advanced Micro Devices P.O. Box 3453, MS 117, Sunnyvale, CA 94088, USA;
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机译:通过使用负性显影光刻和蚀刻光刻图案,实现具有自对准的56 nm节距的铜双大马士革互连
机译:深硅X-射线光刻技术,采用深金UV光刻技术和电铸技术制造的硅金面膜
机译:硬掩模对双图案光刻中光刻-平版蚀刻工艺反射率的影响
机译:集成光刻和蚀刻模拟
机译:高度芳族单分子蚀刻掩模的抗蚀刻性机理和发展:迈向分子光刻。
机译:高度对准的聚合物纳米线蚀刻掩模光刻可实现石墨烯纳米孔晶体管的整合
机译:光刻参数产量估计模型,用减少的光刻模拟集来预测布局图案失真