IBM Semiconductor Research Development Center, Hopewell Junction, NY-12533, USA;
IBM Semiconductor Research Development Center, Hopewell Junction, NY-12533, USA;
IBM Microelectronics Division, Essex Junction, VT-05452, USA;
机译:MOS器件电导建模技术,用于CMOS电路的准确,高效的混合模式仿真
机译:CMOS,BiCMOS和BiNMOS电路的延迟模型及其在时序仿真中的应用
机译:基于非unit自由铁离子形式主义的相干误差下量子误差校正的高效仿真
机译:用于多维CMOS模拟的高效量子校正模型
机译:量子密码学,量子纠错和信道仿真中的主题。
机译:CMOS集成霍尔板的改进等效仿真模型
机译:基于电荷的MOS晶体管模型中的量子效应建模,用于模拟纳米级CMOS模拟电路
机译:高级mOs器件中量子限制效应的高效多维模拟