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Role of arsenci hexagonal growth-suppession on a cubic GaNAs growth using metalorganic chemical vapor depositioon

机译：金属有机化学气相沉积法对六方砷化镓的生长抑制作用对立方GaNAs生长的作用

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The hexagonal domain suppression-effects in cubic-GaNAs grown by metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD) is reported. A thin buffer laer (20 nm) was first grown on a substrate at 853 K using trimethylgallium and dimethylhydraxine (DMHy), and GaNAs smaples were grown at different AsH3 flow rates (0 approxh 450 umol/min) at 1993 K. As a result, three types of surface morphologies were obtained: the first was a smooth surface (AsH_3 chemocal bounds 0 umol/min); the second was a mirrorlike surface having small and isotropic grains (asH_3: 45 apprhx 225 mu mol/min); and the thrid involved three-dimensional surface morphologies (above 450 3mu mol/min of AsH_3 flow rate). Furthermore, it was confirmed using X-ray diffraction that the mixing ratio of hexagonal GaNAs in cubic GaNAs decreased with an increase of the AsH_3 flow rate. We could obtain GaNAs having a cubic component of above 85
机译：报道了通过有机金属化学气相沉积（MOCVD）生长的立方氮化镓中的六角形畴抑制效应。首先，使用三甲基镓和二甲基羟胺（DMHy）在853 K的衬底上生长一个较薄的缓冲层（20 nm），并在1993 K下以不同的AsH3流速（0约450 umol / min）生长GaNAs枫。 ，获得了三种类型的表面形态：第一种是光滑的表面（AsH_3的化学键为0 umol / min）;第二种是光滑的表面。第二个是镜面状的表面，具有小的各向同性晶粒（asH_3：45 apprhx 225μmol / min）;第三部分涉及三维表面形貌（450 3mumol / min的AsH_3流速以上）。此外，使用X射线衍射证实，六方GaNA在立方GaNA中的混合比随着AsH_3流量的增加而降低。我们可以获得具有大于85的立方分量的GaNA

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