CORRELATION BETWEEN IMPROVED STABILITY AND MICROSTRUCTURAL PROPERTIES OF a-Si:H AND a-Ge:H

机译：a-Si：H和a-Ge：H的提高的稳定性与显微组织性能之间的相关性

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In this paper we report on comparative investigations concerning the stability of glow discharge and hot wire deposited a-Si:H films. Using spectroscopic ellipsometry measurements and a data interpretation basing on a tetrahedron model we investigated the microstructural properties of the films. We found that the stability of a-Si:H films is significantly increased by a deposition process guided in a way that high quality material can be grown with high density and low hydrogen content. The a-Si:H results are confirmed by similar results obtained on sp-a-Ge:H. For the first time we have shown that metastability is not connected with the existence of surface like (SiH_2, (SiH)_x) hydrogen bonding configurations.

机译：在本文中，我们报告了有关辉光放电和热线沉积的a-Si：H膜的稳定性的比较研究。使用光谱椭偏测量和基于四面体模型的数据解释，我们研究了膜的微观结构性质。我们发现通过以高密度和低氢含量可以生长高质量材料的方式引导的沉积工艺，a-Si：H薄膜的稳定性得到了显着提高。通过在sp-a-Ge：H上获得的相似结果证实了a-Si：H的结果。第一次，我们证明了亚稳性与表面存在的（SiH_2，（SiH）_x）氢键构型无关。

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来源
《IEEE world conference on photovoltaic energy conversion;WCPEC;IEEE photovoltaic specialists conference;PVSC》|1994年|429-432|共4页
会议地点
作者
T. Haage; S. Bauer; B. Schroeder; H. Oechsner;
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原文格式 PDF
正文语种
中图分类物理化学（理论化学）、化学物理学;能源;
关键词

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