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A CRITICAL REVIEW OF THE GROWTH AND PROPERTIES OF A- (SI,GE):H

机译：对A-（SI，GE）：H的生长和性质的评论

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We review the status of a-(Si,Ge):H technology for tandem cell applications. In particular, we show that the chemistry of growth and deposition conditions play a major role in determining the properties of a-(Si,Ge):H. We explain why dilution is necessary to make good films, and show that ion bombardment plays a major role in improving the properties of the material.Recent work on films deposited using ion bombardment in a controlled ECR reactor environment is discussed, and it is shown that fundamental material properties such as Urbach energies and mid-gap defects can be improved using controlled bombardment. It is also shown that high ion bombardment in glow-discharge deposited devices improves the fundamental material properties. We also discuss the unknown parameters in the a-(Si,Ge):H system, and suggest some research avenues that should be pursued.
机译：我们回顾了串联电池应用的a-（Si，Ge）：H技术的现状。特别是，我们表明生长和沉积条件的化学性质在确定a-（Si，Ge）：H的性质中起着重要作用。我们解释了为什么必须稀释才能制成好的薄膜，并表明离子轰击在改善材料性能方面起着重要作用。讨论了在可控ECR反应器环境中使用离子轰击沉积的薄膜的最新工作，结果表明：基本的材料特性，例如Urbach能量和中间能隙缺陷，可以通过控制轰击来改善。还显示出在辉光放电沉积的器件中的高离子轰击改善了基本材料性能。我们还讨论了a-（Si，Ge）：H系统中的未知参数，并提出了一些应寻求的研究途径。

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