MBE局域生长SiGe/Si异质结材料性质研究与SiGe/Si探测器阵列研制

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该文的研究工作由以下两部分内容组成:一、研究了使用分子束外延(MBE)方法,在微米量级窗口中局域外延生长的Si<,0.8>Ge<,0.2>/Si异质结材料的应变和失配位错的性质.二、研制了2×22面元与2×32面元的二元3~5μmSi<,1-x>Ge<,x>/Si异质结内光电发射红外探测器焦平面阵列.单元探测器的黑体探测率可达10<'10>cmHz<'1/2>/W,响应率可达7×10<'4>V/W,阵列的响应率均匀性≤±5﹪.因此这种探测器适宜于制作大规模的红外探测器焦平面阵列.

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作者
熊辉;
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作者单位

复旦大学;

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授予单位复旦大学;
学科凝聚态物理
授予学位硕士
导师姓名张翔九;
年度 2001
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
分子束外延; SiGe/Si异质结材料; 失配位错; 红外探测器;

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