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Enhanced signal micro-raman study of SiGe nanowires and SiGe/Si nanowire axial heterojuntions grown using Au and Ga-Au catalysts

机译：使用Au和Ga-Au催化剂生长的SiGe纳米线和SiGe / Si纳米线轴向异质结的增强信号微拉曼研究

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MicroRaman spectroscopy was used for the characterization of heterostructured SiGe/Si nanowires. The NWs were grown with alloyed AuGa catalysts droplets with different Ga compositions aiming to make more abrupt heterojunctions. The heterojunctions were first characterized by TEM; then the NWs were scanned by the laser beam in order to probe the heterojunction. The capability of the MicroRaman spectroscopy for studying the heterojunction is discussed. The results show that the use of catalysts with lower Ge and Si solubility (AuGa alloys) permits to achieve more abrupt junctions.
机译：显微拉曼光谱用于表征异质结构的SiGe / Si纳米线。 NWs用具有不同Ga组成的合金化AuGa催化剂液滴生长，目的是制造更突然的异质结。异质结首先通过TEM表征;然后用激光束扫描NW以探测异质结。讨论了显微拉曼光谱研究异质结的能力。结果表明，使用具有较低Ge和Si溶解度的催化剂（AuGa合金）可以实现更多的突变结。

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