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【24h】

Oxidation Behaviors of TiB2-TiCx and TiB2-TiC x/15SiC Ceramics

机译：TiB2-TiCx和TiB2-TiC x / 15SiC陶瓷的氧化行为

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Fully dense samples of TiB2-TiCx and TiB2-TiCx/15SiC ceramic composites were fabricated by in-situ synthesis under hot isostatic pressing from Till2,B4C and SiC powders.Their oxidized behaviors at different temperatures were tested.Optical micrograph studies and thermo-gravimetric analyses show that the highest effective temperature of oxidation resistance is 700°C for TiB2-TiCx,and 1100°C for TiB2-TiCx/15SiC.The weight gain of TiB2-TiCx/15SiC below 1100°C is quite low,and it rises up suddenly when the temperature reaches 1200°C.Thus,the highest effective temperature of oxidation resistance is 1100°C for TiB2-TiCx/15SiC.The oxidation dynamic curves of TiB2-TiCx/15SiC ceramics accord with the parabola's law.The activation energy of TiB2-TiCx/15SiC (189.87kJ.mol1) is higher than that of TiB2-TiCx (96.44kJ.mol-1).In the oxidation process of TiB2-TiCx/15SiC,TiB2 reacts with oxygen and generates TiO2 and B2O3 at first.A layer of whole homogeneous oxide film cannot be formed,in the mean time,the oxidation of TiC begins.When temperature goes up to 1000°C,TiC phase is totally oxidized.SiC is oxidized to SiO2 at about 900°C,Meanwhile,TiO2 forms denser film than B2O3,which grows and covers the surface of the material,and gives better property of oxidation resistance.
机译：采用热等静压法，由Till2，B4C和SiC粉末在热等静压下原位合成TiB2-TiCx和TiB2-TiCx / 15SiC陶瓷复合材料的全致密样品，并测试了它们在不同温度下的氧化行为。分析表明，TiB2-TiCx的最高抗氧化有效温度为700°C，TiB2-TiCx / 15SiC的最高抗氧化温度为1100°C.TiB2-TiCx / 15SiC在1100°C以下的增重相当低，并且会升高温度达到1200°C时突然升高。因此，TiB2-TiCx / 15SiC的最高抗氧化有效温度为1100°C.TiB2-TiCx / 15SiC陶瓷的氧化动力学曲线符合抛物线定律。活化能TiB2-TiCx / 15SiC（189.87kJ.mol-1）的含量高于TiB2-TiCx（96.44kJ.mol-1）的含量。在TiB2-TiCx / 15SiC的氧化过程中，TiB2与氧反应并在首先，在此期间不能形成整个均匀的氧化膜层当温度升至1000°C时，TiC相被完全氧化。SiC在900°C左右被氧化为SiO2，同时，TiO2形成比B2O3致密的膜，并生长并覆盖了B2O3的表面。材料，并具有更好的抗氧化性能。

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