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首页> 外文会议>European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition >INVESTIGATION OF WAFER SURFACES WITH SPACE-RESOLVED BREAKING STRENGTH TESTS AND CORRESPONDING ANALYSIS OF THE CRACK DEPTH
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INVESTIGATION OF WAFER SURFACES WITH SPACE-RESOLVED BREAKING STRENGTH TESTS AND CORRESPONDING ANALYSIS OF THE CRACK DEPTH

机译：晶圆表面的空间分辨断裂强度试验研究及裂纹深度的对应分析

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Due to the multi-wire slurry sawing process, crystalline silicon wafers show a critical damage behavior in formof a limited breaking strength. To enhance the yield of the crystalline solar cell production, it is necessary to minimize thebreaking ratio of silicon wafers and solar cells. The breaking strength is determined both by the surface quality at the edges(especially determined by microcracks and chippings) and by the surface quality of the front and back sides of the wafer(especially determined by steps, grooves and microcracks). In our contribution we investigated the subsurface and edgedamages of selected multicrystalline silicon wafers and developed a special fracture bending test for investigating criticalwafer areas. This allows a correlation between space-resolved breaking strength values and corresponding surface roughnessand crack depths.
机译：由于采用多线浆料锯切工艺，结晶硅晶片在形状方面表现出严重的破坏行为。 有限的断裂强度。为了提高晶体太阳能电池生产的产量，有必要最大程度地减少太阳能电池的产量。 硅晶片和太阳能电池的断裂率。断裂强度取决于边缘的表面质量 （特别是由微裂纹和碎片确定）以及晶片正面和背面的表面质量 （尤其是由台阶，凹槽和微裂纹确定）。在我们的贡献中，我们研究了地下和边缘 选定的多晶硅晶片的损伤，并开发了一种特殊的断裂弯曲试验来研究关键 晶圆区域。这使得空间分辨的断裂强度值与相应的表面粗糙度之间具有相关性 和裂纹深度。

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