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【24h】

Wideband millimeter wave PIN diode SPDT switch using IBM 0.13#x00B5;m SiGe technology au1^Kwanhim Lam au1^Hanyi Ding au1^Xuefeng Liu au1Bradley A. ^Orner au1Jay ^Rascoe au1Barbara ^Dewitt au1Essam ^Mina au2Brian ^Gaucher au1Systems and

机译：宽带毫米波二极管SPDT开关使用IBM0.13μmsige技术au 1 ^ kwanhim lam au 1 ^ hanyi ding au 1 ^ xuefeng liu au 1 布拉德利A. ^ orner au 1 jay ^ Rascoe au 1 Barbara ^ dewitt au 1 essam ^ mina au 2 Brian ^ gaucher au 1 系统和

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Feasibility of wideband on-chip RF switch operating at millimeter wave frequencies using PIN diodes in IBM .13um SiGe technology is demonstrated. A SPDT reflective switch targeting 60GHz wireless and radar applications is designed, fabricated, and measured. Good correlations between simulation and hardware are reported. Measured data show 2.0 to 2.7 dB of insertion loss over 51 to 78 GHz bandwidth with better than 12dB return loss and 25 to 35 dB of isolation.
机译：宽带片上RF开关的可行性，使用IBM中的PIN二极管在毫米波频率下操作.13um SiGe技术。设计，制造和测量目标60GHz无线和雷达应用的SPDT反光开关。报告了仿真和硬件之间的良好相关性。测量数据显示2.0至2.7 dB的插入损耗超过51到78 GHz带宽，具有优于12dB的回报损耗和25至35 dB的隔离。

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