• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Symposium on Microelectronics Technology and Devices >Morphological and Chemical Analysis of Silicon Etched by SF_6+O_2 and CF_4+O_2 Low Pressure Constricted Plasma Jet
【24h】

Morphological and Chemical Analysis of Silicon Etched by SF_6+O_2 and CF_4+O_2 Low Pressure Constricted Plasma Jet

机译：SF_6 + O_2和CF_4 + O_2低压收缩等离子体喷射硅蚀刻的形态学和化学分析

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In this work, the surface of silicon etched by sulphur hexafluoride (SF_6) and carbon tetrafluoride (CF_4) plasma jet, pure or mixed with oxygen gas (O_2), was investigated by scanning electron microscope (SEM), optical perfilometry and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Through these techniques it was possible to investigate the etching rate, etched surface roughness and chemistry on Si surface as a function of O_2 concentration in the SF_6+O_2 and CF_4+O_2 mixture. The results indicate high etching rates of up to 1.0 μm/min obtained for rf power and operating pressure at about 150W and 3.2 mTorr, respectively. The conditions whose etched profile showed higher anisotropy were obtained with CF_4. Regarding the chemical analysis of the etched Si surface it was possible to identify elements of the sample surface such as F, C, N and O, as well as, their respective bonds with the Si.
机译：在这项工作中，通过扫描电子显微镜（SEM），通过扫描电子显微镜（SEM），光学穿刺术和X射线，研究了通过六氟化硫（SF_6）和碳四氟化碳（CF_4）等离子体射流，纯净或与氧气（O_2）的硅（CF_4）的表面蚀刻。光电子光谱（XPS）。通过这些技术，可以在SF_6 + O_2和CF_4 + O_2混合物中作为O_2浓度的函数研究Si表面上的蚀刻速率，蚀刻表面粗糙度和化学。结果表明，在约150W和3.2 mTorr的RF功率和工作压力下，高达1.0μm/ min的高蚀刻速率分别为约150w和3.2 mtorr。用CF_4获得蚀刻曲线显示较高各向异性的条件。关于蚀刻Si表面的化学分析，可以鉴定样品表面的元素，例如F，C，N和O，以及它们各自与Si的键合。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号