• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>International Conference on Microelectronics >Low power and high linear reconfigurable CMOS LNA for multi-standard wireless applications
【24h】

Low power and high linear reconfigurable CMOS LNA for multi-standard wireless applications

机译：低功耗和高线性度可重构CMOS LNA，适用于多标准无线应用

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

This paper presents a low power and high linear reconfigurable CMOS low noise amplifier for wireless multi-standard applications including GSM (PCS1900), 3G (UMTS), Bluetooth and WLAN b/g. Based on inductive degenerated cascode topology, this LNA achieves a good trade-off between high gain, noise figure and power consumption. The input and output matching networks include controlled MOS-varactor devices to select the desired bands for multi-standard purpose. A post linearization technique is also used to improve the LNA linearity. Implemented in 0.18-µm CMOS technology, the simulated results perform a power gain higher than 21 dB, a noise figure below 2.7 dB, an input return loss less than −12.1dB and more than −3 dBm for the third-order input intercept point in frequency band 1.9–2.4 GHz. For all standards the proposed LNA consumes only a 10.9mW from 1.8V supply voltage.
机译：本文提出了一种适用于无线多标准应用（包括GSM（PCS1900），3G（UMTS），蓝牙和WLAN b / g）的低功耗和高线性度可重构CMOS低噪声放大器。该LNA基于电感性退化的共源共栅拓扑结构，在高增益，噪声系数和功耗之间实现了良好的折衷。输入和输出匹配网络包括受控的MOS变容二极管器件，以出于多标准目的选择所需的频段。后线性化技术也用于改善LNA线性。在0.18-µm CMOS技术中实现的模拟结果实现了高于21 dB的功率增益，低于2.7 dB的噪声系数，低于-12.1dB的输入回波损耗和高于-3 dBm的三阶输入截取点在1.9–2.4 GHz频带中。对于所有标准，拟议的LNA在1.8V电源电压下仅消耗10.9mW。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号