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庄海孝; 马成炎; 殷明; 于云丰;
中科院微电子研究所;
北京100029;
杭州中科微电子有限公司;
浙江杭州310053;
GPS接收芯片; 射频前端; 低噪声放大器; 电压增益; 功耗;
机译:适用于90 nm CMOS工艺中UWB应用的低功耗高增益CMOS LNA
机译:通过采用同时噪声和输入匹配的Gmax-Core,通过65-NM CMOS中的D波高增益和低功耗LNA
机译:5.5GHz低功耗高增益CMOS LNA的最佳设计,使用花授粉算法
机译:0.3–3.3GHz低功耗,低噪声系数,高增益无电感宽带CMOS LNA
机译:使用45 nm技术设计用于蓝牙低功耗应用的2.4 GHz CMOS LNA。
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:采用65 nm CMOS技术的60GHz频段的低功耗高增益LNA
机译:一款高增益单脉冲400-mEGaCYCLE混频器振荡器
机译:使用四端子双绝缘栅场晶体管的CMOS放大器,多输入CMOS放大器,高增益多输入CMOS放大器,高增益高稳定性多输入CMOS放大器和使用该放大器的多输入CMOS差分放大器
机译:多输入CMOS放大器并使用高增益多输入CMOS放大器,高稳定多输入CMOS放大器,高增益高稳定多输入CMOS放大器和多输入CMOS差分放大器为零的第一绝缘栅
机译:使用4端子双绝缘栅场效应晶体管的CMOS放大器,使用相同的高增益多输入CMOS放大器的多输入CMOS放大器,高增益,高稳定度的多输入CMOS放大器和多输入CMOS放大器放大器
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