采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

董叶梓; 张鹏; 毛陆虹

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采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

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设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器.采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构,引入栅极电感补偿高频的增益损失,电路具有高增益、低噪声的特点,并且具有平坦的通带增益.设计采用UMC 0.18 μm工艺,后仿真显示:在1.8 V供电电压下,LNA的直流功耗约为9.45 mW,电路的最大增益约为23 dB,3 dB频带范围为0.1 GHz～1.35 GHz,3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB～5 dB；在1V供电电压下,电路依然能够保持较高的性能.

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来源
《电子技术应用》 |2013年第5期|44-47,50|共5页
作者
董叶梓; 张鹏; 毛陆虹;
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作者单位

国家海洋技术中心,天津300112;

天津大学电子信息工程学院,天津300072;

国家海洋技术中心,天津300112;

天津大学电子信息工程学院,天津300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
宽带低噪声放大器; 噪声抵消技术; 局部反馈; 电感补偿; CMOS集成电路;

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