低功耗高增益CMOS LNA的设计

伊廷荣; 成立; 王玲; 范汉华; 植万江

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低功耗高增益CMOS LNA的设计

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设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18μm,当中心频率f0为2.4GHz、电源电压VDD为1.8V时其功率增益S21为16.5dB,但功耗Pd只有2.9mW,噪声系数NF为2.4dB,反向隔离度S12为-58dB。由此验证了所设计的CMOSRF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100nm级的研发方向发展。

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来源
《半导体技术》 |2008年第8期|726-729|共4页
作者
伊廷荣; 成立; 王玲; 范汉华; 植万江;
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作者单位

江苏大学电气与信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类放大器：按作用分;
关键词
低噪声放大器; CMOS射频电路; 低功耗; 高增益;

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