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【24h】

Optical absorption by E#x002B; miniband of GaAs:N #x03B4;-doped superlattices

机译：E +微型带GaAs：Nδ掺杂超晶格的光吸收

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The optical properties of GaAs:N δ-doped superlattices (SLs) are investigated by photoreflectance (PR), photo luminescence (PL) and photoluminescence excitation (PLE) spectroscopy. A direct evidence of the optical absorption due to an E+ related band of a GaAs:N δ-doped SLs is indicated as a clear absorption edge at 1.6 eV by PLE. AlGaAs layers fabricated on the both sides of the SL region exclude the effect of GaAs absorption on the PLE spectrum, resulting in the successful detection of the absorption property of the SL. In addition, some preliminary characterization of a solar cell using a GaAs:N δ-doped SL is shown. The photocarrier generation originating from SL miniband absorption is confirmed by quantum efficiency measurements.
机译：GaAs：Nδ掺杂超晶格（SLs）的光学性质通过光反射（PR），光致发光（PL）和光致发光激发（PLE）光谱进行了研究。 PLE表示由GaAs：Nδ掺杂的SLs的E +相关带引起的光吸收的直接证据是在1.6 eV处有清晰的吸收边。在SL区域的两侧制作的AlGaAs层排除了GaAs吸收对PLE光谱的影响，从而成功检测到SL的吸收特性。另外，示出了使用GaAs：Nδ掺杂的SL对太阳能电池的一些初步表征。通过量子效率测量证实了源于SL微带吸收的光载流子产生。

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