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Gm/ID based noise analysis for CMOS analog circuits

机译：G M / I D CMOS模拟电路的噪声分析

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This paper proposes a technique to obtain thermal noise coefficient (γ) and corner frequency (fco) from simulation. Once determined, γ and fco can be integrated into the gm/ID design flow to simplify CMOS analog circuit design. A folded cascode operational transconductance amplifier (OTA) is designed to provide a point of comparison. A 10% error in input noise and a 25% error in output noise show that γ and fco can indeed be integrated into the gm/ID design flow.
机译：本文提出了一种从模拟中获得热噪声系数（γ）和角频率（F CO ）的技术。一旦确定，γ和F CO 可以集成到G M / I D 设计流程中，以简化CMOS模拟电路设计。折叠的CASCODE操作跨导放大器（OTA）旨在提供比较点。输入噪声中的10％误差和输出噪声中的25％误差表明，γ和f CO 可以确实集成到G M / I D < / inf>设计流程。

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