CMOS integrated circuits; calibration; digital control; reference circuits; TC BGR; digitally calibrated bandgap voltage reference; digitally-controlled calibration scheme; low-voltage low temperature coefficient; power 303 muW; robust start-up circuit; size 0.18 mum; standard CMOS process; voltage 1.8 V; voltage 604 mV; Abstracts; BiCMOS integrated circuits; CMOS integrated circuits; CMOS technology; Photonic band gap; Robustness;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:考虑带隙能量的热依赖性,重新分析基本带隙基准电压电路
机译:使用CMOS差压电流传输器的新型带隙基准电压电路
机译:0.885ppm /°C数字校准带隙电压参考,具有鲁棒启动电路
机译:带隙电压参考电路部分耗尽的硅 - 绝缘体CMOS技术
机译:一种新型的宽带隙施主聚合物用于具有高开路电压的高效非富勒烯有机太阳能电池
机译:具有集成电压参考分支的功率和区域高效的CMOS带隙参考电路