首页> 外文会议>Conference on photomask and next-generation lithography mask technology >Reticle Inspection System Using DUV Wavelength and New Algorithm Platform for Advanced Reticle Inspection for 0.13 Micron Technology Node
【24h】

Reticle Inspection System Using DUV Wavelength and New Algorithm Platform for Advanced Reticle Inspection for 0.13 Micron Technology Node

机译:用DUV波长和新的算法平台进行掩模版检验系统,为0.13微米技术节点进行高级掩模版检查

获取原文

摘要

KLA-Tencor has developed a fourth-generation reticle inspection system, the KLA-Tencor 570, using DUV imaging to detect 100-nm defects on advnaced OPC and PSM reticles for the 0.13 micron technology node production and 0.10 micron technology development. This system contains innovations in optics, electronics, mechanics, algorithms, and software.
机译:KLA-Tencor开发了第四代掩模版检验系统,KLA-Tencor 570,使用DUV成像,以检测AdvNaced OPC和PSM晶粒的100nm缺陷,用于0.13微米技术节点生产和0.10微米技术开发。该系统包含光学,电子,机械,算法和软件的创新。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号