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首页> 外文会议>Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition >A dual-channel isolated resonant gate driver for low gate drive loss in ZVS Full-bridge converters
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A dual-channel isolated resonant gate driver for low gate drive loss in ZVS Full-bridge converters

机译：用于低栅极驱动器损耗的双通道隔离谐振栅极驱动器

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As the switching frequency increases, to reduce the gate drive loss combined with the Zero-Voltage-Switching (ZVS) technique is meaningful for the widely used Full-Bridge (FB) converters. A dual-channel isolated Resonant Gate Driver (RGD) is proposed in this paper. The proposed RGD is able to provide two isolated complementary drive signals for two power MOSFETs in one bridge leg. Furthermore, the proposed RGD reduces about 79% gate drive loss compared to the conventional Voltage Source Driver (VSD). In addition, the negative gate drive voltage provided by the proposed RGD prevents the false trigger problem. The optimum design of the proposed RGD is given in detail. A 200-VDC input, 48-V/ 20-A output and 500-kHz phase-shift ZVS FB converter with the proposed RGD was built to verify the advantage and efficiency improvement.
机译：随着开关频率的增加，为了减小与零电压切换（ZVS）的栅极驱动损耗结合，对于广泛使用的全桥（FB）转换器来说是有意义的。 本文提出了一种双通道隔离谐振栅极驱动器（RGD）。 所提出的RGD能够为两个桥支腿中的两个功率MOSFET提供两个隔离的互补驱动信号。 此外，与传统电压源驱动器（VSD）相比，所提出的RGD减少了约79％的栅极驱动损耗。 另外，所提出的RGD提供的负栅极驱动电压可防止假触发问题。 详细给出了所提出的RGD的最佳设计。 建立了200VDC输入，48V / 20-A输出和500-kHz相移ZVS FB转换器，采用所提出的RGD，以验证优势和效率。

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