• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference >Application of backscattered electron imaging for process development in advanced technology nodes
【24h】

Application of backscattered electron imaging for process development in advanced technology nodes

机译：背散射电子成像在先进技术节点工艺开发中的应用

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In this paper, we studied defect discovery and defect review using back-scattered electron (BSE) images. We found that some defects can only be effectively imaged with BSE mode such as hafnium oxide remain at metal gate chemical mechanical polishing (CMP) in the gate last high-k metal gate (HKMG) process. It can also enhance contrast for materials in the bottom of high aspect ratio (HAR) trenches and holes. BSE mode imaging of electron beam review (EBR) is a very useful mode for advanced process technology development and chip production monitoring, especially for middle of line (MOL), which has many buried defects, subsurface defects and thin CMP remains.
机译：在本文中，我们使用背向散射电子（BSE）图像研究了缺陷发现和缺陷检查。我们发现某些缺陷只能用BSE模式有效地成像，例如在栅极最后的高k金属栅极（HKMG）工艺中在金属栅极化学机械抛光（CMP）时残留的氧化ha。它还可以增强高深宽比（HAR）沟槽和孔底部的材料的对比度。 BSE模式的电子束检查（EBR）成像对于先进的工艺技术开发和芯片生产监控，尤其是对于中线（MOL），是一种非常有用的模式，因为MOL具有许多掩埋缺陷，表面缺陷和薄的CMP残留物。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号