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【24h】

Nanoparticle reduction in Cu CMP for 20nm node and beyond

机译:Cu CMP的纳米颗粒减少至20nm及更高

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摘要

A high yield copper damascene process requires defect-free copper surfaces after Cu CMP. In this paper we present a novel technique to improve cleaning efficiency, especially the removal of particles in the range of 20 to 80nm. This innovative Chemical Mechanical Cleaning (CMC) approach is validated with defect density reduction and a significant reduction of electrical shorts measured on test wafers.
机译:高产量的铜镶嵌工艺需要在Cu CMP之后实现无缺陷的铜表面。在本文中,我们提出了一种新颖的技术来提高清洁效率,尤其是去除20至80nm范围内的颗粒。这种创新的化学机械清洗(CMC)方法通过减少缺陷密度和显着减少在测试晶圆上测量的电短路而得到验证。

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