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Trace analysis of hydrogen peroxide contamination

机译：痕量分析过氧化氢

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Smaller critical dimensions in newer semiconductor technologies and use of lower implant doses continue to increase the importance of monitoring and controlling chemical trace contaminants. This paper presents a case study where contaminants in hydrogen peroxide resulted in an IBM fabricator excursion. Methods for determination of amines and fluoride in hydrogen peroxide were developed. Additionally, closer examination of trace metals in as-received peroxide has led to the identification of contamination sources in transportation via tanker. Lastly, IBM has identified crucial analytical parameters for accurate analysis of trace metallic contamination in hydrogen peroxide. These studies and enhanced methods have led to greater control over hydrogen peroxide quality for use in semiconductor processing.
机译：新型半导体技术中较小的临界尺寸和较低注入剂量的使用，继续增加了监测和控制化学痕量污染物的重要性。本文介绍了一个案例研究，其中过氧化氢中的污染物导致IBM制造商偏移。建立了测定过氧化氢中胺和氟化物的方法。此外，对接受的过氧化物中的痕量金属进行了更仔细的检查，从而确定了通过油轮运输时的污染源。最后，IBM已经确定了关键的分析参数，可以准确分析过氧化氢中的痕量金属污染。这些研究和改进的方法导致对用于半导体加工的过氧化氢质量的更好控制。

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