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S-doped SiO_2 Microsphere Structure Prepared by Thermal Evaporation

机译：通过热蒸发制备的S掺杂的SiO_2微球结构

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S-doped SiO_2 microspheres have been successfully synthesized via the thermal evaporation method using S powders as the reducing agents. The as-synthesized products have been systematically studied by X-ray powder diffraction (XRD), Raman spectroscopy (RS), scanning electron microscope (SEM), electron energy-dispersive X-ray (EDX) and photoluminescence (PL). The results indicate that pure S-doped SiO_2 microspheres were collected at the growth temperatures of 730°C. Furthermore, The RT PL spectral results reveal the S-doped SiO_2 microspheres have a stable and strong green emission band. The products are available for the applications in optoelectronic semiconductor devices with improving performances.
机译：已经通过使用S粉末作为还原剂成功地通过热蒸发方法成功地合成了S掺杂的SiO_2微球。通过X射线粉末衍射（XRD），拉曼光谱（RS），扫描电子显微镜（SEM），电子能量分散X射线（EDX）和光致发光（PL）系统地进行了合成的产品。结果表明，在730℃的生长温度下收集纯S掺杂的SiO_2微球。此外，RT PL光谱结果揭示了S掺杂的SiO_2微球具有稳定且强的绿色发射带。该产品可用于光电子半导体器件中的应用，具有改善性能。

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