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首页> 外文会议>International Conference on Microelectronics >Stability analysis and design methodology of near-threshold 6T SRAM cells
【24h】

Stability analysis and design methodology of near-threshold 6T SRAM cells

机译：近阈值6T SRAM单元的稳定性分析和设计方法

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With the current shift towards low-voltage low-power applications, static random access memory (SRAM) cells are being operated at very-low supply voltages near the threshold voltages of the transistors. This imposes severe design challenges for conventional 6T SRAM cells. This paper presents a new quantitative analysis for the read, write, and hold noise margin of SRAM cells when operated at near-threshold voltages capturing transistor short-channel effects. Using the derived equations, an optimal design methodology is introduced to yield the SRAM cell size at a certain supply voltage for best noise-margin performance. This optimal design is verified by circuit simulations for a 6T SRAM cell implemented in 65-nm CMOS technology.
机译：随着电流转向低压低功耗应用，静态随机存取存储器（SRAM）单元正以接近晶体管阈值电压的非常低的电源电压工作。这给常规的6T SRAM单元带来了严峻的设计挑战。本文针对在接近阈值电压下工作的SRAM单元的读取，写入和保持噪声容限提出了一种新的定量分析方法，该电压捕获晶体管的短沟道效应。使用推导的方程式，引入了一种最佳设计方法，以在一定电源电压下产生SRAM单元尺寸，从而获得最佳的噪声容限性能。通过以65 nm CMOS技术实现的6T SRAM单元的电路仿真，可以验证该最佳设计。

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