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β -Ga2O3 micro-flake FET SBPD with record detectivity of 3.87xl017Jones for weak light detection

机译：β-ga2O3微片FET SBPD，记录探测器3.87xL017 jokes弱光检测

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High performance $eta-ext{Ga}_{2}mathrm{O}_{3}$ field-effect transistor (FET) solar-blind photodetectors (SBPDs) with record detectivity (D*) of $3.87imes 10^{17}$ Jones, responsivity (R) of $2.50imes 10^{4}mathrm{A}/mathrm{W}$, photo-to-dark-current ratio (PDCR) of $7.87imes 10^{6}$, and external quantum efficiency (EQE) of $1.22imes 10^{7}%$ are reported based on mechanically exfoliated $eta-ext{Ga}_{2}mathrm{O}_{3}$ micro-flakes. The excellent performance of the $eta-ext{Ga}_{2}mathrm{O}_{3}$ detector under $mu mathrm{W}/ext{cm}^{2}$ level illumination makes it one of the best Ga2O3 SBPDs towards weak light detection, sharp imaging, and safe communication application.
机译：高性能 $ beta- text { Ga} _ {2} mathrm {o} _ {3} $ 现场效应晶体管（FET）太阳盲光电探测器（SBPDS），具有记录探测（D *） $ 3.87 times 10 ^ {17 $ 琼斯，响应（R） $ 2.50 times 10 ^ {4 } mathrm {a} / mathrm {w} $ ，照片到暗电流比（PDCR） $ 7.87 times 10 ^ {6 $ ，外部量子效率（EQE） $ 1.22 times 10 ^ {7 } ％$ 报告基于机械剥离 $ beta- text { Ga} _ {2} mathrm {o} _ {3} $ 微薄。优秀的表现 $ beta- text { Ga} _ {2} mathrm {o} _ {3} $ 探测器下面 $ mu mathrm {w } / text {cm} ^ {2} $ 水平照明使它成为最好的GA之一 2 O. 3 SBPDS朝向弱光检测，清晰的成像和安全通信应用。

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