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首页> 外文会议>International Conference on Electronics Technology >A DC – 4 GHz Gain Block Amplifer Using 0.5-μ m GaAs E/D-Mode pHEMT Process
【24h】

A DC – 4 GHz Gain Block Amplifer Using 0.5-μ m GaAs E/D-Mode pHEMT Process

机译：DC - 4 GHz增益块放大器使用0.5μMGaAs E / D模式PHEMT过程

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A DC-4-GHz broadband Darlington amplifier, fabricated using 0.5-$mu$ m GaAs E/D-mode pHEMT process, with resistive feedback and gain bandwidth extension techniques is presented. The principles of bandwidth extension technique is discussed in detail. With the proposed gain bandwidth technique, the designed amplifier achieves a 20-dB average gain with ± 1.5dB gain flatness, a 1 dB compression point of 21.25-dBm, as well as an input and output return loss better than -10 dB, reverse isolation of 27 dB in the frequency range from DC to 4 GHz. The DC consumption of the designed amplifier is 97.5 mA from a single 5V supply while the amplifier core occupies a chip area of $0.82 imes 0.67 mm^{2}$.
机译：DC-4-GHz宽带达林顿放大器，使用0.5 - $ MU $ M $ M GAAS E / D模式PHEMT工艺制造，具有电阻反馈和增益带宽扩展技术。 详细讨论了带宽扩展技术的原理。 通过提出的增益带宽技术，设计的放大器实现了20-DB的平均增益，±1.5dB增益平坦度，1 dB压缩点为21.25 dBm，以及输入和输出返回损耗优于-10 dB，反向更好 将27 dB的分离在从DC到4 GHz的频率范围内。 设计放大器的直流消耗量是从单个5V电源的97.5 mA，而放大器核心占据0.82美元的芯片面积0.82秒^ {2} $。

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