post exposure bake; PEB; bake latitude; resist; multi-zone hotplate; CD-compensation; CD uniformity; total temperature range; sensor array;
机译:高温暴露在温度范围内的铝化上涂层的氧化铝形成和微观结构变化925摄氏度C-1075摄氏度
机译:密集包装的SU-8的超深X射线光刻技术:II。工艺性能随剂量,特征高度和曝光后烘烤温度的变化而变化
机译:ascocotyle(Phagicola)longa(trematoda:heterophyidae)从Mullets(Mugil Liza)的可行性来自Mullets(Mugil Liza)从Rio de Janeiro,巴西接触到冷冻和加热的温度范围为-35℃至180摄氏度
机译:零度总温度范围的道路暴露烘焙过程
机译:在完全不对称的零范围过程中。
机译:温度低于零摄氏度时麻醉剂的蒸气压和新型麻醉剂输送装置
机译:多数完全非对称零范围过程:I.多行过程和组合