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首页> 外文会议>Silicon carbide and related materials 2009 >New lines and issues associated with deep defect spectra in electron, proton and ~4He ion irradiated 4H SiC
【24h】

New lines and issues associated with deep defect spectra in electron, proton and ~4He ion irradiated 4H SiC

机译：与电子，质子和〜4He离子辐照的4H SiC中的深缺陷谱有关的新思路和新问题

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In this paper we revisit sharp low temperature luminescence lines (LTPL) previously generated by high dose 10~(18)to 10~(20) cm~(-2) electron beams in an electron microscope and now produced by low dose 10~(15) cm~(-2) electron, 5×l0~(10) cm~(-2) proton and helium ion irradiation. New no phonon lines E_0, F_0, θ_0, Φ_0, K_0, G_0, J_0, M_0 and phonon replicas are found. Phonon replicas up to the fifth harmonic are well accounted for by theory giving convincing new evidence that the di-carbon antisite is responsible for these deep defect lines.
机译：在本文中，我们将回顾以前在电子显微镜中由高剂量10〜（18）至10〜（20）cm〜（-2）电子束产生的尖锐的低温发光线（LTPL），而现在由低剂量10〜（ 15）cm〜（-2）电子，5×l0〜（10）cm〜（-2）质子和氦离子辐照。找到新的无声子线E_0，F_0，θ_0，Φ_0，K_0，G_0，J_0，M_0和声子副本。理论上很好地解释了直到第五谐波的声子复制品，从而给出了令人信服的新证据，表明二碳反位点是造成这些深缺陷线的原因。

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