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【24h】

RFマグネトロン·スパッタリング法で作製したMgO障壁層MTJのMgO結晶配向性と高エネルギー負イオンとの関係

机译:射频磁控溅射法制造MgO晶体取向与MgO屏障层MTJ的高能负离子的关系。

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摘要

室温で巨大トンネル磁気抵抗(TMR)比を示すMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合(MTJ)素子は,MRAMなどのデバイス応用に有用な技術である.巨大TMR比を得るにはMgO障壁層の(001)配向性が重要であり,デバイスに適用するためには基板全面に均質なMgO(001)障壁層を形成する必要がある.
机译:磁隧道结(MTJ)使用MgO阻挡层指示室温下的巨型隧道磁阻(TMR)比率是一种用于器件应用的技术,例如MRAM。用于巨大TMR比率(001)方向的MgO阻挡层是重要的,并且在为了适用于该装置,必须在基板的整个表面上形成均匀的MgO(001)阻挡层。

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