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【24h】

50-Gbit/s operation of lateral pin diode structure electro-absorption modulator integrated DFB laser

机译:集成了DFB激光器的横向Pin二极管结构电吸收调制器的50 Gbit / s工作

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摘要

We developed an electro-absorption modulator integrated DFB laser using a lateral pin diode structure. Selective doping by thermal diffusion and ion implantation is essential for fabricating a monolithic integrated device. The device was modulated by 50-Gbit/s-NRZ signal with clear-eye opening.
机译:我们使用侧向pin二极管结构开发了集成了电吸收调制器的DFB激光器。通过热扩散和离子注入的选择性掺杂对于制造单片集成器件至关重要。器件通过清晰的睁眼方式通过50 Gbit / s-NRZ信号进行调制。

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