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首页> 外文会议>IEEE MTT-S International Microwave Symposium >E-band RF-to-DC converter using Schottky diode in 0.18-µm CMOS technology
【24h】

E-band RF-to-DC converter using Schottky diode in 0.18-µm CMOS technology

机译：使用0.18 µm CMOS技术的肖特基二极管的E波段RF-DC转换器

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This paper demonstrates a millimeter-wave RF-to-DC converter based on Schottky-barrier diodes using 0.18-μm CMOS technology. The Schottky-barrier diode has a cutoff frequency of 400 GHz and a low turn-on voltage of 0.3 V. In the RF-to-DC quadrupler, the difference in turn-on voltages between the Schottky-barrier diode and n-well to p-substrate parasitic pn junction prevents the pn junction from turning on with an effect similar to the Schottky diode clamp in Schottky TTL circuits. The input matching has a better than 10 dB return loss from 50 GHz to 100 GHz. The RF-to-DC quadrupler generates a 3.15 V DC voltage at 84 GHz.
机译：本文演示了一种基于肖特基势垒二极管的毫米波RF-DC转换器，采用0.18μmCMOS技术。肖特基势垒二极管具有400 GHz的截止频率和0.3 V的低导通电压。在RF-to-DC四倍频器中，肖特基势垒二极管和n阱之间的导通电压之差为p衬底寄生pn结可防止pn结导通，其作用类似于肖特基TTL电路中的肖特基二极管钳位。在50 GHz至100 GHz范围内，输入匹配的回波损耗优于10 dB。 RF-to-DC四倍频器在84 GHz时产生3.15 V DC电压。

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