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首页> 外文会议>IEEE MTT-S International Microwave Symposium >A W-band wireless communication transmitter utilizing a stacked-FET oscillator for high output power performance
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A W-band wireless communication transmitter utilizing a stacked-FET oscillator for high output power performance

机译：使用堆叠式FET振荡器的W波段无线通信发射机，可实现高输出功率性能

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This paper reports on an efficient transmitter monolithic microwave integrated circuit (TX MMIC) suitable for high-speed wireless communication. In order to achieve high output power, the TX is based on a direct modulation approach, containing a stacked-FET voltage-controlled oscillator (VCO) and an amplitude modulator. Thus, the modulation scheme is based on amplitude-shift keying (ASK). The MMIC utilizes the Fraunhofer IAF 50nm gate-length metamorphic high-electron-mobility transistor (mHEMT) technology. The stacked-FET oscillator generates the carrier signal and achieves an output power of about 14 dBm. The carrier frequency can be tuned from 87.8 to 98.2 GHz. Due to the FET-stacking approach the amplitude modulator can be simplified to a single-pole, single-throw (SPST) switch. Hence, the transmitter MMIC achieves a peak output power of 12.5dBm and a maximum data rate of 18 Gbit/s. The maximum continuous wave (CW) efficiency of the entire TX MMIC yields 17.6 %.
机译：本文报告了适用于高速无线通信的高效发射机单片微波集成电路（TX MMIC）。为了实现高输出功率，TX基于直接调制方法，包含堆叠FET电压控制振荡器（VCO）和幅度调制器。因此，调制方案基于幅度移位键控（询问）。 MMIC利用Fraunhofer IAF 50nm栅极长度变质高电子移动晶体管（MHEMT）技术。堆叠FET振荡器产生载波信号并实现大约14dBm的输出功率。载波频率可以从87.8到98.2 GHz调谐。由于FET堆叠方法，振幅调制器可以简化到单极，单掷（SPST）开关。因此，变送器MMIC实现了12.5dBm的峰值输出功率，最大数据速率为18 gbit / s。整个TX MMIC产量的最大连续波（CW）效率为17.6％。

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