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堆叠式MOSFET电路和操作堆叠式MOSFET电路的方法

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本发明涉及堆叠式MOSFET电路和操作堆叠式MOSFET电路的方法。示例性MOSFET电路包括具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极。该MOSFET电路还包括控制器，所述控制器配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号，以在第一MOSFET的漏‑源电压和第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断第一MOSFET和第二MOSFET。还公开了其他MOSFET电路以及操作MOSFET电路的方法。

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公开/公告号CN108696109A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-23

原文格式PDF
申请/专利权人雅达电子国际有限公司;
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申请/专利号CN201810305904.3
发明设计人谢永涛;小埃内斯托·Z·卡古伊奥;
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申请日2018-04-08
分类号
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司;
代理人黄志华
地址中国香港九龙
入库时间 2023-06-19 06:50:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H02M1/088 申请日:20180408

实质审查的生效
2018-10-23

公开

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