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FEATURE PROFILE EVOLUTION USING LEVEL SET METHODS

机译：使用水平集方法的特征轮廓演化

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摘要

The capability for predictive profile evolution is highly desirable in the semiconductor industry, as linewidths are shrinking to less than 0.1 μm. Calculating etch rates for trenches in different materials with a variety of processing gases is also a major goal. One method of tracking the evolving profile is to use level sets throughout the computational domain. A simulation of profile evolution using level sets (SPELS) has been successfully used to calculate trench profiles of silicon in chlorine plasmas. Several methods have been used to determine the ion and neutral velocity and angular distribution functions (VADFs) that are then used by SPELS. These methods include using analytic functions, as well as using plasma simulations, for the VADFs. SPELS has also been used to calculate etch rates of silicon dioxide in Ar/C_4F_8 plasmas.
机译：由于线宽缩小到小于0.1μm，因此在半导体行业中非常需要预测轮廓演变的功能。计算具有各种处理气体的不同材料中沟槽的蚀刻速率也是一个主要目标。跟踪演变中的配置文件的一种方法是在整个计算域中使用级别集。使用能级集（SPELS）对轮廓演变进行的模拟已成功用于计算氯等离子体中硅的沟槽轮廓。 SPELS使用了几种方法来确定离子速度，中性速度和角度分布函数（VADF）。这些方法包括对VADF使用分析功能以及等离子体模拟。 SPELS也已用于计算Ar / C_4F_8等离子体中二氧化硅的蚀刻速率。

著录项

  • 来源
    《》|2000年|p.140-152|共13页
  • 会议地点 Toronto(CA);Toronto(CA)
  • 作者

    Helen H. Hwang;

  • 作者单位

    Eloret Corporation NASA Ames Research Center M/S 230-3 Moffett Field, CA 94035 USA;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 无线电电子学、电信技术;
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