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首页> 外文会议>SPIE Advanced Lithography Conference >Single Exposure EUV of 32nm pitch logic structures: Patterning performance on BF and DF masks
【24h】

Single Exposure EUV of 32nm pitch logic structures: Patterning performance on BF and DF masks

机译：32nm间距逻辑结构的单次曝光EUV：BF和DF掩模上的图案化性能

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This paper summarizes findings for an N5 equivalent M2 (pitch 32) layer patterned by means of SE EUV. Different mask tonalities and resist tonalities have been explored and a full patterning (litho plus etch) process into a BEOL stack has been developed. Resolution enhancement techniqes like SRAFs insertion and retargeting have been evaluated and compared to a baseline clip just after OPC. Steps forward have been done to develop a full patterning process using SE EUV, being stochastics and variability the main items to address.
机译：本文总结了通过SE EUV图案化的N5等效M2（间距32）层的发现。已经探索了不同的掩模色调和抗蚀剂色调，并且已经开发了在BEOL叠层中的完整图案化（平版加蚀刻）工艺。已经评估了分辨率增强技术，例如SRAF的插入和重新定位，并将其与OPC之后的基准剪辑进行了比较。已经采取了一些步骤，以开发使用SE EUV的完整图案化工艺，将随机性和可变性作为要解决的主要问题。

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