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首页> 外文会议>International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application >TIPS-Pentacene:PS Blend Organic Field-Effect Transistors with Hybrid Gate Dielectric on Paper Substrate
【24h】

TIPS-Pentacene:PS Blend Organic Field-Effect Transistors with Hybrid Gate Dielectric on Paper Substrate

机译：TIPS-并五苯：PS在纸基板上混合有机场效应晶体管与混合栅电介质

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We report on the fabrication of bottom gate top contact organic field effect transistors with hybrid gate dielectric and TIPS-Pentacene:PS blend as active layer on PowerCoat™ HD 230 paper substrate. The hybrid dielectric layer leads the devices operated at relatively low voltage of −10 V with avg. and maximum field effect mobility of $0.52(pm 0.16)$ and 0.78 cm2 V−1 S−1 respectively, with near zero threshold voltage and on-off current ratio approaching ~104. The devices have shown excellent operational stability when tested with DC bias stress of $mathrm{V}_{mathrm{DS}}=mathrm{V}_{mathrm{GS}}=-10 mathrm{V}$ for 1 h and minuscule changes in electrical characteristics were observed with continuous multiple transfer cycle scans. In addition, we have demonstrated a resistive load inverter circuit with varying the load resistance with these paper OFETs.
机译：我们报告了在PowerCoat™HD 230纸质基板上使用混合栅极电介质和TIPS-并五苯：PS共混物作为有源层的底栅顶部接触有机场效应晶体管的制造过程。混合介电层引导以平均电压-10 V在较低电压下工作的器件。和最大的场效应迁移率 $ 0.52（\ pm 0.16）$ 和0.78厘米 2 伏特 -1 小号 -1 分别接近零阈值电压和开/关电流比接近〜10 4 。该器件在DC偏置应力为5％的情况下进行测试时，已显示出出色的操作稳定性。 $ \ mathrm {V} _ {\ mathrm {DS}} = \ mathrm {V} _ {\ mathrm {GS}} =-10 \ \ mathrm {V} $ 在1小时内，通过连续多次转移循环扫描观察到电特性的微小变化。此外，我们还演示了一种电阻式负载逆变器电路，该电路通过这些纸型OFET来改变负载电阻。

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