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P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制

         

摘要

以P++硅为衬底,热生长SiO2为栅绝缘层,真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层,射频磁控溅射金作为源、漏电极,成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。测试表明在源漏电压为70V时,器件的载流子迁移率μ为:0.31cm2/V.s。

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