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A Highly Reliable SRAM PUF with a Capacitive Preselection Mechanism and pre-ECC BER of 7.4E-10

机译：具有电容预选机制和7.4E-10的pre-ECC BER的高度可靠的SRAM PUF

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An SRAM PUF with an internal error reduction mechanism is presented. A capacitive preselection test identifies potentially unstable cells with insufficient mismatch. The test can be accomplished in one VDD / temperature corner. An implementation in TSMC 65nm technology disqualified all the unstable cells (19.7%) in 14 800-bit arrays. The test has no impact on the randomness of the PUF and negligible impact on area. A highly competitive pre-ECC BER of 7.4E-10 and an energy consumption of 16fJ/bit were achieved.
机译：提出了具有内部错误减少机制的SRAM PUF。电容预选测试识别出具有不匹配不足的潜在不稳定的单元。该测试可以在一个VDD /温度拐角处完成。 TSMC 65NM技术中的实施取消了14个800位阵列中所有不稳定的单元（19.7％）。该测试对PUF的随机性并对区域的影响忽略不计。实现了7.4E-10的高度竞争性预态ECC BER和16FJ /位的能量消耗。

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