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首页> 外文会议>Electronic Components and Technology Conference, 1995. Proceedings., 45th >High performance GaAs/AlGaAs vertical-cavity surface-emittinglasers designed for cryogenic applications
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High performance GaAs/AlGaAs vertical-cavity surface-emittinglasers designed for cryogenic applications

机译：高性能GaAs / AlGaAs垂直腔面发射专为低温应用设计的激光器

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The slope efficiency (ηs) and the output power (Pout) of proton-implant-isolated AlGaAs/GaAs vertical-cavitysurface-emitting lasers (VCSELs) improve dramatically as the temperatureis decreased, with ηss≈20% at room temperature. This suggests that the VCSELcan be a very efficient device for cryogenic applications. In this paperwe report the first VCSEL that has been optimized for operation near 77K, with characteristics that are superior to those of VCSELs operatingat room temperature, including high output power (Pout=22mW), high power conversion efficiency (ηd=32%), highslope efficiency (ηs=75%-95%), low threshold voltage (Vth=1.75 V) and current (Ith=2 mA), and low powerdissipation (Pd<10 mW for Pout=2.5 mW) for a 20μm diameter device
机译：斜率效率（η s ）和输出功率（P out ）的质子植入物隔离的AlGaAs / GaAs垂直腔 表面发射激光器（VCSEL）随着温度的升高而显着提高 相比η降低了，在77 K时η s >为90％ s ＆ap; ap; 20％在室温下。这表明VCSEL 在低温应用中可以是非常有效的设备。在本文中 我们报告了为在77附近工作而优化的第一台VCSEL K，具有优于VCSEL操作的特性 在室温下，包括高输出功率（P out = 22 mW），高功率转换效率（η d = 32％），高 斜率效率（η s = 75％-95％），低阈值电压（V th = 1.75 V）和电流（I th = 2 mA）和低功耗 耗散（P d = 2.5 mW的P d <10 mW） 直径为μm的设备

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