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首页> 外文会议>応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会 >Tunnel magnetoresistance effect in the magnetic tunnel junctions with compensated ferrimagnetic Mn_2(Co-V)Al Heusler alloy
【24h】

Tunnel magnetoresistance effect in the magnetic tunnel junctions with compensated ferrimagnetic Mn_2(Co-V)Al Heusler alloy

机译：补偿亚铁磁性Mn_2（Co-V）Al Heusler合金在磁性隧道结中的隧道磁阻效应

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Half-metallic fully compensated ferrimagnets have attracted attention because they can be used asa spin injector with no stray field. Mn-Co-V-Al Heusler alloy is one of the candidates. Recently, themagnetization compensation for Mn_2(Co-V)Al Heusler alloy was experimentally showen and theCurie temperature was estimated to be around 650 K which was higher than room temperature.The half-metallicity of Mn_2(Co-V)Al was demonstrated by first principles calculation . However,there are no reports to fabricate the Mn_2(Co-V)Al film and to investigate the spin polarizationexperimentally. In this study, we investigated the magnetic properties of the Mn_2(Co-V)Al films andthe tunnel magnetoresistance (TMR) effect for the magnetic tunnel junctions (MTJs) with itselectrode to gain insight into its half-metallicity.
机译：半金属完全补偿的ferrimagnets引起了人们的注意，因为它们可以用作 无杂散场的自旋注射器。 Mn-Co-V-Al Heusler合金是其中的一种。最近， 实验证明了Mn_2（Co-V）Al Heusler合金的磁化补偿，并且 居里温度估计约为650 K，高于室温。 通过第一性原理计算证明了Mn_2（Co-V）Al的半金属性。然而， 没有报道制造Mn_2（Co-V）Al膜并研究自旋极化 实验上。在这项研究中，我们研究了Mn_2（Co-V）Al薄膜的磁性能和 磁性隧道结（MTJ）的隧道磁阻（TMR）效应及其 电极以了解其半金属性。

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