首页> 外文会议>応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会 >グラフェン電界効果トランジスタを用いた溶液ゲート型遊離塩素センサにおけるゲート電極の影響
【24h】

グラフェン電界効果トランジスタを用いた溶液ゲート型遊離塩素センサにおけるゲート電極の影響

机译:栅电极对使用石墨烯场效应晶体管的溶液栅型游离氯传感器的影响

获取原文

摘要

遊離塩素は水道水やプールの消毒に使用されており、これらの水質管理を行うために連続測定が可能で高感度なセンサが必要となる。Au や Pt のような貴金属電極を用いた連続的な電気化学センサが商業化されているが、酸化被膜の生成により耐久性や信頼性に課題が残る。これらを解決できるデバイスとしてグラフェンをチャネルに使用した電界効果トランジスタ (graphene field-effect transistor:GFET) が挙げられ、ゲート電極にAuを用いた溶液ゲート型センサによる水道水の塩素濃度基準範囲での高感度な測定が達成されたことが報告されている。本研究では、GFETを作製し、溶液ゲートGFETにおけるゲート電極の影響について調べることを目的とした。
机译:游离氯用于自来水和水池的消毒,并且需要能够连续测量的高度灵敏的传感器来控制这些水的质量。使用诸如Au和Pt的贵金属电极的连续电化学传感器已经商业化,但是氧化膜的形成留下了耐久性和可靠性方面的问题。能够解决这些问题的装置是使用石墨烯作为沟道的场效应晶体管(GFET),并且通过将Au用作栅电极的溶液栅型传感器,其在自来水的氯浓度标准范围内较高。据报道,已经实现了灵敏的测量。这项研究的目的是制造GFET并研究栅电极对溶液栅GFET的影响。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号