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【24h】

Si/SiGe superlattice I/O finFETs in a vertically-stacked Gate-All-Around horizontal Nanowire Technology

机译：垂直堆叠的全栅水平纳米线技术中的Si / SiGe超晶格I / O finFET

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This work presents Si/SiGe superlattice finFETs (FF) for 1.8V/2.5V I/O applications in vertically-stacked Gate-All-Around horizontal nanowire technology (hNW) technology. Superlattice FF have a higher ION than I/O hNW reference devices and can be more easily integrated into a GAA hNW technology than Si I/O FF. These novel I/O FET structures exhibit competitive analog performance and are superior as ESD protection devices.
机译：这项工作提出了在垂直堆叠的全能水平纳米线技术（hNW）技术中用于1.8V / 2.5V I / O应用的Si / SiGe超晶格finFET（FF）。与I / O hNW参考设备相比，超晶格FF具有更高的ION，与Si I / O FF相比，超晶格FF可以更容易地集成到GAA hNW技术中。这些新颖的I / O FET结构展现出具有竞争力的模拟性能，并且具有出色的ESD保护器件。

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