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IEEE Symposium on VLSI Technology
IEEE Symposium on VLSI Technology
召开年:
2018
召开地:
Honolulu(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
A 4M Synapses integrated Analog ReRAM based 66.5 TOPS/W Neural-Network Processor with Cell Current Controlled Writing and Flexible Network Architecture
机译:
4M Synapses集成的基于模拟ReRAM的66.5 TOPS / W神经网络处理器,具有单元电流控制写入和灵活的网络架构
作者:
Reiji Mochida
;
Kazuyuki Kouno
;
Yuriko Hayata
;
Masayoshi Nakayama
;
Takashi Ono
;
Hitoshi Suwa
;
Ryutaro Yasuhara
;
Koji Katayama
;
Takumi Mikawa
;
Yasushi Gohou
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Artificial neural networks;
Writing;
Resistance;
Very large scale integration;
Synapses;
2.
A Methodology to Improve Linearity of Analog RRAM for Neuromorphic Computing
机译:
改进用于神经形态计算的模拟RRAM线性的方法
作者:
Wei Wu
;
Huaqiang Wu
;
Bin Gao
;
Peng Yao
;
Xiang Zhang
;
Xiaochen Peng
;
Shimeng Yu
;
He Qian
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Linearity;
Conductivity;
Performance evaluation;
Switches;
Electric fields;
Neural networks;
Tuning;
3.
A Novel 3D AND-type NVM Architecture Capable of High-density, Low-power In-Memory Sum-of-Product Computation for Artificial Intelligence Application
机译:
一种新颖的3D AND型NVM架构,能够为人工智能应用提供高密度,低功耗的内存中产品和计算
作者:
Hang-Ting Lue
;
Weichen Chen
;
Hung-Sheng Chang
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Microprocessors;
Programming;
Nonvolatile memory;
Sensors;
Memory management;
4.
Performance and Reliability of a Fully Integrated 3D Sequential Technology
机译:
完全集成的3D顺序技术的性能和可靠性
作者:
A. Tsiara
;
X. Garros
;
L. Brunet
;
P. Batude
;
C. Fenouillet-Béranger
;
K. Triantopoulos
;
M. Cassé
;
M. Vinet
;
F. Gaillard
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Transistors;
MOS devices;
Performance evaluation;
Integrated circuit reliability;
Inverters;
5.
Development of a Multisite, Closed-loop Neuromodulator for the Theranosis of Neural Degenerative Diseases
机译:
用于神经退行性疾病治疗的多部位,闭环神经调节剂的开发
作者:
Hsin Chen
;
Yen-Chung Chang
;
Shih-Rung Yeh
;
Chih-Cheng Hsieh
;
Kea-Tiong Tang
;
Ping-Hsuan Hsieh
;
Yu-Te Liao
;
Ramesh Perumel
;
Ji-Feng Chuang
;
Ching-Chih Chang
;
Yu-Chieh Chen
;
Shih-Hsin Chen
;
Sung-En Hsieh
;
Yen-Peng Chen
;
Ye-Ting Chen
;
Tzu-Hao Liu
;
Yu-Ming Chang
;
Wei-Chih Lai
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Micromechanical devices;
Rats;
Pathology;
Parkinson's disease;
Process control;
Amplitude shift keying;
6.
GeSn p-FinFETs with Sub-10 nm Fin Width Realized on a 200 mm GeSnOI Substrate: Lowest SS of 63 mV/decade, Highest G
m,int
of 900 µS/µm, and High-Field µ
eff
of 275 cm2/V•s
机译:
在200 mm GeSnOI衬底上实现了小于10 nm鳍宽的GeSn p-FinFET:最低SS为63 mV /十倍,最高G
m,int inf>为900 µS / µm,高场µ 275 cm 2 sup> / V•s的
eff inf>
作者:
Dian Lei
;
Kaizhen Han
;
Kwang Hong Lee
;
Yi-Chiau Huang
;
Wei Wang
;
Sachin Yadav
;
Annie Kumar
;
Ying Wu
;
Huiquan Heliu
;
Shengqiang Xu
;
Yuye Kang
;
Yang Li
;
Eugene Y.-J. Kong
;
Chuan Seng Tan
;
Xiao Gong
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Substrates;
Temperature measurement;
Fabrication;
Frequency measurement;
Plasma temperature;
FinFETs;
7.
Si/SiGe superlattice I/O finFETs in a vertically-stacked Gate-All-Around horizontal Nanowire Technology
机译:
垂直堆叠的全栅水平纳米线技术中的Si / SiGe超晶格I / O finFET
作者:
G. Hellings
;
H. Mertens
;
A. Subirats
;
E. Simoen
;
T. Schram
;
L.-A. Ragnarsson
;
M. Simicic
;
S.-H. Chen
;
B. Parvais
;
D. Boudier
;
B. Cretu
;
J. Machillot
;
V. Pena
;
S. Sun
;
N. Yoshida
;
N. Kim
;
A. Mocuta
;
D. Linten
;
N. Horiguchi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Superlattices;
Logic gates;
Silicon;
Ions;
Silicon germanium;
Electrostatic discharges;
FinFETs;
8.
A low-power and high-speed True Random Number Generator using generated RTN
机译:
使用生成的RTN的低功耗高速真随机数发生器
作者:
James Brown
;
Rui Gao
;
Zhigang Ji
;
Jiezhi Chen
;
Jixuan Wu
;
Jianfu Zhang
;
Bo Zhou
;
Qi Shi
;
Jacob Crowford
;
Weidong Zhang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
NIST;
Stress;
Transistors;
Bit rate;
Entropy;
Frequency measurement;
Acceleration;
9.
A Comprehensive Study of Polymorphic Phase Distribution of Ferroelectric-Dielectrics and Interfacial Layer Effects on Negative Capacitance FETs for Sub-5 nm Node
机译:
铁电介电体的多态相分布和界面层对5nm以下负电容FET的影响的综合研究
作者:
Y.-T Tang
;
C.-J. Su
;
Y.-S. Wang
;
K.-H. Kao
;
T.-L. Wu
;
P.-J. Sung
;
F.-J. Hou
;
C.-J. Wang
;
M.-S. Yeh
;
Y.-J. Lee
;
W.-F. Wu
;
G.-W. Huang
;
J.-M. Shieh
;
W.-K. Yeh
;
Y.-H. Wang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Iron;
Stress;
Zirconium;
Grain size;
Mathematical model;
Logic gates;
Semiconductor process modeling;
10.
A 12nm FinFET Technology Featuring 2nd Generation FinFET for Low Power and High Performance Applications
机译:
具有第二代FinFET的12nm FinFET技术,适用于低功耗和高性能应用
作者:
H.C. Lo
;
D. Choi
;
Y. Hu
;
Y. Shen
;
Y. Qi
;
J. Peng
;
D. Zhou
;
M. Mohan
;
C. Yong
;
H. Zhan
;
H. Wei
;
X. He
;
D. Kang
;
A. Sirman
;
Y. Wang
;
H. Zang
;
S.Y. Mun
;
A. Vinslava
;
W.H. Chen
;
C. Gaire
;
J. Liu
;
X. Dou
;
Y. Shi
;
P. Zhao
;
B. Zhu
;
A. Jha
;
X. Zhang
;
X. Wan
;
E. Lavigne
;
C. Kyono
;
M. Togo
;
J. V
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Performance evaluation;
Optimization;
Cavity resonators;
FinFETs;
Reliability;
Libraries;
Epitaxial growth;
11.
All-Electrical Control of a Hybrid Electron Spin/Valley Quantum Bit in SOI CMOS Technology
机译:
SOI CMOS技术中混合电子自旋/谷量子位的全电子控制
作者:
L. Hutin
;
L. Bourdet
;
B. Bertrand
;
A. Corna
;
H. Bohuslavskyi
;
A. Amisse
;
A. Crippa
;
R. Maurand
;
S. Barraud
;
M. Urdampilleta
;
C. Bäuerle
;
T. Meunier
;
M. Sanquer
;
X. Jehl
;
S. De Franceschi
;
Y.-M. Niquet
;
M. Vinet
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Silicon;
Magnetic fields;
Couplings;
Radio frequency;
Magnetic confinement;
12.
A Threshold Switch Augmented Hybrid-FeFET (H-FeFET) with Enhanced Read Distinguishability and Reduced Programming Voltage for Non-Volatile Memory Applications
机译:
非易失性存储器应用的阈值开关增强型混合FeFET(H-FeFET),具有增强的可分辨性和降低的编程电压
作者:
M. Jerry
;
A. Aziz
;
K. Ni
;
S. Datta
;
S. K. Gupta
;
N. Shukla
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Switches;
Microprocessors;
Programming;
Nonvolatile memory;
Threshold voltage;
Adaptive arrays;
13.
A Circuit Compatible Accurate Compact Model for Ferroelectric-FETs
机译:
铁电FET的电路兼容精确紧凑模型
作者:
Kai Ni
;
Matthew Jerry
;
Jeffrey A. Smith
;
Suman Datta
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Semiconductor device modeling;
Integrated circuit modeling;
History;
Switches;
Computational modeling;
Trajectory;
14.
A Near- Short-Wave IR Tunable InGaAs Nanomembrane PhotoFET on Flexible Substrate for Lightweight and Wide-Angle Imaging Applications
机译:
在轻质和广角成像应用中的柔性基板上的近波和短波红外可调谐InGaAs纳米膜PhotoFET
作者:
Yida Li
;
Alireza Alian
;
Li Huang
;
Kah Wee Ang
;
Dennis Lin
;
Dan Mocuta
;
Nadine Collaert
;
Aaron V-Y Thean
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Phototransistors;
Indium gallium arsenide;
Photoconductivity;
Substrates;
Imaging;
Robot sensing systems;
Electrodes;
15.
Shaping circuit environment to face the thermal challenge Innovative technologies from low to high power electronics
机译:
塑造电路环境以应对热挑战从低功率电子技术到大功率电子技术的创新技术
作者:
P. Coudrain
;
J.-P. Colonna
;
L.-M. Collin
;
R. Prieto
;
L.G. Fréchette
;
J. Barrau
;
G. Savelli
;
P. Vivet
;
Q. Struss
;
J. Widiez
;
K. Vladimirova
;
K. Triantopoulos
;
H. Beckrich-Ros
;
M. Vilarrubí
;
G. Laguna
;
H. Azarkish
;
M. Shirazi
;
J. Michailos
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Heating systems;
Cooling;
Thermal management;
Three-dimensional displays;
Silicon;
Bonding;
Microchannels;
16.
An over 120 dB wide-dynamic-range 3.0 μm pixel image sensor with in-pixel capacitor of 41.7 fF/um2 and high reliability enabled by BEOL 3D capacitor process
机译:
超过120 dB的宽动态范围3.0μm像素图像传感器,像素电容为41.7 fF / um 2 sup>,并且通过BEOL 3D电容器工艺实现了高可靠性
作者:
M. Takase
;
S. Isono
;
Y. Tomekawa
;
T. Koyanagi
;
T. Tokuhara
;
M. Harada
;
Y. Inoue
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Capacitors;
Three-dimensional displays;
Image sensors;
Capacitance;
Leakage currents;
Hafnium compounds;
Reliability;
17.
Selective Pore-Sealing of Highly Porous Ultralow-k dielectrics for ULSI Interconnects by Cyclic Initiated Chemical Vapor Deposition Process
机译:
通过循环引发化学气相沉积工艺对用于ULSI互连的高多孔超低k电介质进行选择性孔密封
作者:
Seong Jun Yoon
;
Kwanyong Pak
;
Hyun Jun Ahn
;
Alexander Yoon
;
Sung Gap Im
;
Byung Jin Cho
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Surface treatment;
Dielectrics;
Films;
Tin;
Polymers;
Plastics;
Leakage currents;
18.
5x Reliability Enhanced 40nm TaOx Approximate-ReRAM with Domain-Specific Computing for Real-time Image Recognition of IoT Edge Devices
机译:
具有特定领域计算能力的5倍可靠性增强型40nm TaOx近似ReRAM,可用于IoT边缘设备的实时图像识别
作者:
Yusuke Yamaga
;
Yoshiaki Deguchi
;
Shouhei Fukuyama
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Error correction codes;
Image recognition;
Power line communications;
Proposals;
Bit error rate;
Reliability;
Decoding;
19.
InGaAs-on-Insulator MOSFETs Featuring Scaled Logic Devices and Record RF Performance
机译:
具有缩放逻辑器件并记录RF性能的InGaAs绝缘体上MOSFET
作者:
C. B. Zota
;
C. Convertino
;
V. Deshpande
;
T. Merkle
;
M. Sousa
;
D. Caimi
;
L. Czomomaz
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Silicon;
Radio frequency;
FinFETs;
Performance evaluation;
Metals;
20.
Neuromorphic Technology Based on Charge Storage Memory Devices
机译:
基于电荷存储器件的神经形态技术
作者:
Sung-Tae Lee
;
Suhwan Lim
;
Nagyong Choi
;
Jong-Ho Bae
;
Chul-Heung Kim
;
Soochang Lee
;
Dong Hwan Lee
;
Tackhwi Lee
;
Sungyong Chung
;
Byung-Gook Park
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Neurons;
Synapses;
Flash memories;
Computer architecture;
Logic gates;
Microprocessors;
Memristors;
21.
Comprehensive Thermal SPICE Modeling of FinFETs and BEOL with Layout Flexibility Considering Frequency Dependent Thermal Time Constant, 3D Heat Flows, Boundary/Alloy Scattering, and Interfacial Thermal Resistance with Circuit Level Reliability Evaluation
机译:
FinFET和BEOL的综合热SPICE建模,具有布局灵活性,同时考虑了频率相关的热时间常数,3D热流,边界/合金散射和界面热阻,并进行了电路级可靠性评估
作者:
Jhih-Yang Yan
;
Chia-Che Chung
;
Sun-Rong Jan
;
H. H. Lin
;
W. K. Wan
;
M.-T. Yang
;
C. W. Liu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Integrated circuit modeling;
FinFETs;
SPICE;
Heating systems;
Frequency dependence;
Metals;
Mathematical model;
22.
Low Thermal Budget Amorphous Indium Tungsten Oxide Nano-Sheet Junctionless Transistors with Near Ideal Subthreshold Swing
机译:
具有接近理想亚阈值摆幅的低热预算非晶氧化铟锡纳米片无结晶体管
作者:
Po-Yi Kuo
;
Chien-Min Chang
;
Po-Tsun Liu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Hafnium compounds;
Voltage measurement;
Capacitors;
Logic gates;
Iron;
Thickness measurement;
Hysteresis;
23.
Capacitor-based Cross-point Array for Analog Neural Network with Record Symmetry and Linearity
机译:
具有记录对称性和线性度的基于电容器的模拟神经网络交叉点阵列
作者:
Y. Li
;
S. Kim
;
X. Sun
;
P. Solomon
;
T. Gokmen
;
H. Tsai
;
S. Koswatta
;
Z. Ren
;
R. Mo
;
C. C. Yeh
;
W. Haensch
;
E. Leobandung
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Capacitors;
Training;
Field effect transistors;
Current measurement;
Neural networks;
Linearity;
Random access memory;
24.
Electromigration Effects in Power Grids Characterized Using an On-Chip Test Structure with Poly Heaters and Voltage Tapping Points
机译:
使用带有多加热器和电压分接点的片上测试结构表征的电网中的电迁移效应
作者:
Chen Zhou
;
Richard Wong
;
Shi-Jie Wen
;
Chris H. Kim
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Stress;
Voltage measurement;
Power grids;
Heating systems;
Temperature measurement;
Wires;
Resistance;
25.
RX-PUF: Low Power, Dense, Reliable, and Resilient Physically Unclonable Functions Based on Analog Passive RRAM Crossbar Arrays
机译:
RX-PUF:基于模拟无源RRAM交叉开关阵列的低功耗,密集,可靠和弹性的物理不可克隆功能
作者:
Mohammad Reza Mahmoodi
;
Hussein Nili
;
Dmitri. B. Strukov
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Resilience;
Tuning;
Performance evaluation;
Bit error rate;
NIST;
Switches;
Correlation;
26.
Metal/P-type GeSn Contacts with Specific Contact Resistivity down to 4.4×10−10 Ω-cm2
机译:
接触电阻率低至4.4×10 −10 sup>Ω-cm 2 sup>的金属/ P型GeSn触点
作者:
Ying Wu
;
Wei Wang
;
Saeid Masudy-Panah
;
Yang Li
;
Kaizhen Han
;
Liuhuiquan He
;
Zheng Zhang
;
Dian Lei
;
Shengqiang Xu
;
Yuye Kang
;
Xiao Gong
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Nanostructures;
Metals;
Doping;
Tunneling;
Voltage measurement;
Molecular beam epitaxial growth;
27.
Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory (TCAM) with Two HfO
2
/Al
2
O
3
/GeO
x
/Ge MOS Diodes
机译:
具有两个HfO
2 inf> / Al
2 inf> O
3 inf> / GeO
x inf>的非易失性三元内容可寻址存储器(TCAM) / Ge MOS二极管
作者:
Yi Zhang
;
Bing Chen
;
Wenfeng Dong
;
Wei Liu
;
Shun Xu
;
Ran Cheng
;
Shiuh-Wuu Lee
;
Yi Zhao
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Hafnium compounds;
Switches;
Resistance;
Nonvolatile memory;
Electrical resistance measurement;
Arrays;
Phase change materials;
28.
Selector Requirements for Tera-Bit Ultra-High-Density 3D Vertical RRAM
机译:
Tera-Bit超高密度3D垂直RRAM的选择器要求
作者:
Zizhen Jiang
;
Shengjun Qin
;
Haitong Li
;
Shosuke Fujii
;
Dongjin Lee
;
Simon Wong
;
H.-S. Philip Wong
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Computer architecture;
Resistors;
Decoding;
Resistance;
Microprocessors;
Metals;
29.
22-nm FD-SOI Embedded MRAM with Full Solder Reflow Compatibility and Enhanced Magnetic Immunity
机译:
具有完全焊锡回流兼容性和增强的抗磁能力的22nm FD-SOI嵌入式MRAM
作者:
K. Lee
;
K. Yamane
;
S. Noh
;
V. B. Naik
;
H. Yang
;
S. H. Jang
;
J. Kwon
;
B. Behin-Aein
;
R. Chao
;
J. H. Lim
;
S. K.
;
K. W. Gan
;
D. Zeng
;
N. Thiyagarajah
;
L. C. Goh
;
B. Liu
;
E. H. Toh
;
B. Jung
;
T. L. Wee
;
T. Ling
;
T. H. Chan
;
N. L. Chung
;
J. W. Ting
;
S. Lakshmipathi
;
J. S. Son
;
J. Hwang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
CMOS memory circuits;
embedded systems;
flash memories;
magnetic thin films;
magnetic tunnelling;
MRAM devices;
reflow soldering;
silicon-on-insulator;
30.
Low RA Magnetic Tunnel Junction Arrays in Conjunction with Low Switching Current and High Breakdown Voltage for STT-MRAM at 10 nm and Beyond
机译:
STA-MRAM的低开关电流和高击穿电压的低RA磁性隧道结阵列,在10 nm及以上
作者:
C. Park
;
H. Lee
;
C. Ching
;
J. Ahn
;
R. Wang
;
M. Pakala
;
S. H. Kang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Magnetic tunneling;
Integrated circuits;
Switches;
Tunneling magnetoresistance;
Resistance;
Thermal stability;
31.
Rare-Failure Oriented STT-MRAM Technology Optimization
机译:
面向稀有故障的STT-MRAM技术优化
作者:
Nuo Xu
;
Fan Chen
;
Dmytro Apalkov
;
Weiyi Qi
;
Jing Wang
;
Zhengping Jiang
;
Woosung Choi
;
Dae Sin Kim
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Optimization;
Magnetic tunneling;
Reactive power;
Delays;
Degradation;
Error analysis;
Geometry;
32.
Hybrid 14nm FinFET - Silicon Photonics Technology for Low-Power Tb/s/mm2 Optical I/O
机译:
混合14nm FinFET-用于低功率Tb / s / mm 2 sup>光学I / O的硅光子技术
作者:
M. Rakowski
;
Y. Ban
;
P. De Heyn
;
N. Pantano
;
B. Snyder
;
S. Balakrishnan
;
S. Van Huylenbroeck
;
L. Bogaerts
;
C. Demeurisse
;
F. Inoue
;
K. J. Rebibis
;
P. Nolmans
;
X. Sun
;
P. Bex
;
A. Srinivasan
;
J. De Coster
;
S. Lardenois
;
A. Miller
;
P. Absil
;
P. Verheyen
;
D. Velenis
;
M. Pantouvak
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Modulation;
FinFETs;
Optical transmitters;
Silicon;
Optical fibers;
Optical signal processing;
33.
An Energy Efficient FinFET-based Field Programmable Synapse Array (FPSA) Feasible for One-shot Learning on EDGE AI
机译:
一种基于FinFET的高能效现场可编程突触阵列(FPSA),可在EDGE AI上进行单次学习
作者:
J. L. Kuo
;
H. W. Chen
;
E. R. Hsieh
;
Steve S. Chung
;
T. P. Chen
;
S. A. Huang
;
J. Chen
;
Osbert Cheng
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Synapses;
FinFETs;
Artificial intelligence;
Stress;
Task analysis;
Training;
Resistance;
34.
Novel In-Memory Matrix-Matrix Multiplication with Resistive Cross-Point Arrays
机译:
具有电阻性交叉点阵列的新型内存中矩阵-矩阵乘法
作者:
Yan Liao
;
Huaqiang Wu
;
Weier Wan
;
Wenqiang Zhang
;
Bin Gao
;
H.-S. Philip Wong
;
He Qian
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Machine-to-machine communications;
Sparse matrices;
Virtual machine monitors;
Arrays;
Analog-digital conversion;
Resistance;
Measurement uncertainty;
35.
Significant Performance Enhancement of UTB GeOI pMOSFETs by Advanced Channel Formation Technologies
机译:
先进的沟道形成技术显着提高了UTB GeOI pMOSFET的性能
作者:
W. H. Chang
;
T. Irisawa
;
H. Ishii
;
H. Hattori
;
N. Uchida
;
T. Maeda
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Passivation;
MOSFET;
Silicon germanium;
Rough surfaces;
Surface roughness;
36.
First demonstration of vertically-stacked Gate-All-Around highly-strained Germanium nanowire p-FETs
机译:
垂直堆叠的全栅高应变锗纳米线p-FET的首次演示
作者:
E. Capogreco
;
L. Witters
;
H. Arimura
;
F. Sebaai
;
C. Porret
;
A. Hikavyy
;
R. Loo
;
A. P. Milenin
;
G. Eneman
;
P. Favia
;
H. Bender
;
K. Wostyn
;
E. Dentoni Litta
;
A. Schulze
;
C. Vrancken
;
A. Opdebeeck
;
J. Mitard
;
R. Langer
;
F. Holsteyns
;
N. Waldron
;
K. Barla
;
V. De Heyn
;
D. Mocuta
;
N.
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Wires;
Logic gates;
Gallium arsenide;
FinFETs;
Strain;
Very large scale integration;
Performance evaluation;
37.
Multiple Workfunction High Performance FinFETs for Ultra-low Voltage Operation
机译:
用于超低压操作的多种功函数高性能FinFET
作者:
M. Togo
;
R. Asra
;
P. Balasubramaniam
;
X. Zhang
;
H. Yu
;
S. Yamaguchi
;
E. Geiss
;
H. S. Yang
;
B. Cohen
;
H-C. Lo
;
O. Hu
;
H. Lazar
;
O. Kwon
;
D. Burnett
;
J. Versaggi
;
E. Banghart
;
M. K. Hassan
;
E. Bazizi
;
L. Pantisano
;
J. G. Lee
;
S. B. Samavedam
;
D. K. Sohn
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Resistance;
Random access memory;
Performance evaluation;
Implants;
Reliability;
Degradation;
38.
An In-depth Study of High-Performing Strained Germanium Nanowires pFETs
机译:
高性能应变锗纳米线pFET的深入研究
作者:
J. Mitard
;
D. Jang
;
G. Eneman
;
H. Arimura
;
B. Parvais
;
O. Richard
;
P. Van Marcke
;
L. Witters
;
E. Capogreco
;
H. Bender
;
R. Ritzenthaler
;
H. Mertens
;
A. Hikavyy
;
R. Loo
;
H. Dekkers
;
F. Sebaai
;
A. Milenin
;
N. Horiguchi
;
A. Mocuta
;
D. Mocuta
;
N. Collaert
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Gallium arsenide;
Silicon;
Performance evaluation;
Logic gates;
FinFETs;
Nanowires;
39.
Leakage aware Si/SiGe CMOS FinFET for low power applications
机译:
适用于低功耗应用的泄漏识别Si / SiGe CMOS FinFET
作者:
Gen Tsutsui
;
Curtis Durfee
;
Miaomiao Wang
;
Aniruddha Konar
;
Heng Wu
;
Shogo Mochizuki
;
Ruqiang Bao
;
Stephen Bedell
;
Juntao Li
;
Huimei Zhou
;
Daniel Schmidt
;
Chun Ju Yang
;
James Kelly
;
Koji Watanabe
;
Theodore Levin
;
Walter Kleemeier
;
Dechao Guo
;
Devendra Sadana
;
Dinesh Gupta
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Silicon germanium;
Passivation;
FinFETs;
Very large scale integration;
Junctions;
High-k dielectric materials;
40.
Space Program Scheme for 3-D NAND Flash Memory Specialized for the TLC Design
机译:
TLC设计专用的3D NAND闪存的空间程序方案
作者:
Ho-Jung Kang
;
Nagyong Choi
;
Dong Hwan Lee
;
Tackhwi Lee
;
Sungyong Chung
;
Jong-Ho Bae
;
Byung-Gook Park
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Erbium;
Flash memories;
Electron traps;
Aerospace electronics;
Timing;
Very large scale integration;
41.
First demonstration of monocrystalline silicon macaroni channel for 3-D NAND memory devices
机译:
首次演示用于3-D NAND存储设备的单晶硅通心粉通道
作者:
R. Delhougne
;
A. Arreghini
;
E. Rosseel
;
A. Hikavyy
;
E. Vecchio
;
L. Zhang
;
M. Pak
;
L. Nyns
;
T. Raymaekers
;
N. Jossart
;
L. Breuil
;
S. S. V-Palayam
;
C.-L. Tan
;
G. Van den bosch
;
A. Furnemont
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Electron mobility;
Performance evaluation;
Substrates;
Process control;
Flash memories;
Logic gates;
42.
First Direct Experimental Studies of Hf
0.5
Zr
0.5
O
2
Ferroelectric Polarization Switching Down to 100-picosecond in Sub-60mV/dec Germanium Ferroelectric Nanowire FETs
机译:
在亚60mV / dec锗铁电纳米线FET中Hf
0.5 inf> Zr
0.5 inf> O
2 inf>铁电极化转换至100皮秒的直接实验研究
作者:
Wonil Chung
;
Mengwei Si
;
Pragya R. Shrestha
;
Jason P. Campbell
;
Kin P. Cheung
;
Peide D. Ye
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Switches;
Iron;
Current measurement;
Logic gates;
Pulse measurements;
Time measurement;
Field effect transistors;
43.
10μW/cm2-Class High Power Density Planar Si-Nanowire Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology
机译:
兼容CMOS-VLSI技术的10μW/ cm 2 sup>级高功率密度平面硅纳米线热电能量采集器
作者:
M. Tomita
;
S. Oba
;
Y. Himeda
;
R. Yamato
;
K. Shima
;
T. Kumada
;
M. Xu
;
H. Takezawa
;
K. Mesaki
;
K. Tsuda
;
S. Hashimoto
;
T. Zhan
;
H. Zhang
;
Y. Kamakura
;
Y. Suzuki
;
H. Inokawa
;
H. Ikeda
;
T. Matsukawa
;
T. Matsuki
;
T. Watanabe
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Density measurement;
Power system measurements;
Generators;
Cavity resonators;
Finite element analysis;
Substrates;
Silicon;
44.
Ultrahigh-Sensitive and CMOS Compatible ISFET Developed in BEOL of Industrial UTBB FDSOI
机译:
在工业UTBB FDSOI的BEOL中开发的超高灵敏度和CMOS兼容ISFET
作者:
Getenet Tesega Ayele
;
Stephane Monfray
;
Serge Ecoffey
;
Frederic Boeuf
;
Romain Bon
;
Jean-Pierre Cloarec
;
Dominique Drouin
;
Abdelkader Souifi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Sensitivity;
Sensors;
Electrodes;
Transistors;
Fabrication;
45.
High Endurance Self-Heating OTS-PCM Pillar Cell for 3D Stackable Memory
机译:
用于3D可堆叠存储器的高耐用性自加热OTS-PCM支柱单元
作者:
C. W. Yeh
;
W. C. Chien
;
R. L. Bruce
;
H. Y. Cheng
;
I. T. Kuo
;
C. H. Yang
;
A. Ray
;
H. Miyazoe
;
W. Kim
;
F. Carta
;
E. K. Lai
;
M. BrightSky
;
H. L. Lung
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Video recording;
Thermal stability;
Annealing;
Buffer layers;
Electrodes;
Three-dimensional displays;
46.
Response Speed of Negative Capacitance FinFETs
机译:
负电容FinFET的响应速度
作者:
Daewoong Kwon
;
Yu-Hung Liao
;
Yen-Kai Lin
;
Juan Pablo Duarte
;
Korok Chatterjee
;
Ava J. Tan
;
Ajay K. Yadav
;
Chenming Hu
;
Zoran Krivokapic
;
Sayeef Salahuddin
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Delays;
Current measurement;
Logic gates;
Capacitance;
Oscillators;
Voltage measurement;
Dielectrics;
47.
Ferroelectric Switching Delay as Cause of Negative Capacitance and the Implications to NCFETs
机译:
铁电开关延迟作为负电容的原因及其对NCFET的影响
作者:
B. Obradovic
;
T. Rakshit
;
R. Hatcher
;
J. A. Kittl
;
M. S. Rodder
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Switches;
Iron;
Hysteresis;
Field effect transistors;
Delays;
Capacitance;
Transient analysis;
48.
High-Density and Fault-Tolerant Cu Atom Switch Technology Toward 28nm-node Nonvolatile Programmable Logic
机译:
面向28nm节点非易失性可编程逻辑的高密度和容错Cu原子开关技术
作者:
R. Nebashi
;
N. Banno
;
M. Miyamura
;
Y. Tsuji
;
A. Morioka
;
X. Bai
;
K. Okamoto
;
N. Iguchi
;
H. Numata
;
H. Hada
;
T. Sugibayashi
;
T. Sakamoto
;
M. Tada
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Redundancy;
Routing;
Switches;
Delays;
Switching circuits;
Stress;
49.
True 7nm Platform Technology featuring Smallest FinFET and Smallest SRAM cell by EUV, Special Constructs and 3rd Generation Single Diffusion Break
机译:
真正的7nm平台技术,具有EUV最小的FinFET和最小的SRAM单元,特殊构造和第三代 rd sup>单扩散
作者:
WC Jeong
;
S. Maeda
;
HJ Lee
;
KW Lee
;
TJ Lee
;
DW Park
;
BS Kim
;
JH Do
;
T Fukai
;
DJ Kwon
;
KJ Nam
;
WJ Rim
;
MS Jang
;
HT Kim
;
YW Lee
;
JS Park
;
EC Lee
;
DW Ha
;
C.H. Park
;
H.-J. Cho
;
S.-M. Jung
;
H.K. Kang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
SRAM cells;
Layout;
FinFETs;
Very large scale integration;
3G mobile communication;
Logic testing;
50.
Record 47 mV/dec top-down vertical nanowire InGaAs/GaAsSb tunnel FETs
机译:
创纪录的47 mV / dec自顶向下垂直纳米线InGaAs / GaAsSb隧道FET
作者:
Alireza Alian
;
Salim El Kazzi
;
Anne Verhulst
;
Alexey Milenin
;
Nicolò Pinna
;
Tsvetan Ivanov
;
Dennis Lin
;
Dan Mocuta
;
Nadine Collaert
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Wires;
TFETs;
Performance evaluation;
Junctions;
Doping;
Logic gates;
Silicon;
51.
High Performance Mobile SoC Productization with Second-Generation 10-nm FinFET Technology and Extension to 8-nm Scaling
机译:
采用第二代10纳米FinFET技术的高性能移动SoC产品化,并扩展到8纳米缩放
作者:
Jun Yuan
;
Ken Rim
;
Ying Chen
;
Ming Cai
;
Youseok Suh
;
Jihong Choi
;
Jie Deng
;
Jerry Bao
;
Zhimin Song
;
Lixin Ge
;
Hao Wang
;
Xiao-Yong Wang
;
Vicki Lin
;
Chihwei Kuo
;
Sam Yang
;
Ashwin Rabindranath
;
Shrihari Siva
;
Prasad Bhadri
;
Sungwon Kim
;
Kwon Lee
;
Soon Cho
;
Sunggun Kang
;
Saechoon
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
FinFETs;
Batteries;
Optimization;
State of charge;
Graphics processing units;
Very large scale integration;
52.
Nanosecond Laser Anneal for BEOL Performance Boost in Advanced FinFETs
机译:
纳秒级激光退火技术可提高先进FinFET的BEOL性能
作者:
Rinus T.P. Lee
;
N. Petrov
;
J. Kassim
;
M. Gribelyuk
;
J. Yang
;
L. Cao
;
K.B. Yeap
;
T. Shen
;
A. N. Zainuddin
;
A. Chandrashekar
;
S. Ray
;
E. Ramanathan
;
A. S. Mahalingam
;
R. Chaudhuri
;
J. Mody
;
D. Damjanovic
;
Z. Sun
;
R. Sporer
;
T. J. Tang
;
H. Liu
;
J. Liu
;
B. Krishnan
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Lasers;
Resistance;
Measurement by laser beam;
Integrated circuit interconnections;
Performance evaluation;
Capacitance;
53.
From Memory to Sensor: ultra-Low Power and High Selectivity Hydrogen Sensor Based on ReRAM Technology
机译:
从存储器到传感器:基于ReRAM技术的超低功耗和高选择性氢传感器
作者:
Zhiqiang Wei
;
Kazunari Homma
;
Koji Katayama
;
Ken Kawai
;
Satoru Fujii
;
Yasuhisa Naitoh
;
Hisashi Shima
;
Hiroyuki Akinaga
;
Satoru Ito
;
Shinichi Yoneda
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Hydrogen;
Heating systems;
Resistance;
Sensitivity;
Atmosphere;
Resists;
Wireless sensor networks;
54.
Improving Performance, Power, and Area by Optimizing Gear Ratio of Gate-Metal Pitches in Sub-10nm Node CMOS Designs
机译:
通过优化低于10nm节点CMOS设计中栅极金属间距的齿轮比来提高性能,功率和面积
作者:
Yongchan Ban
;
Xuelian Zhu
;
Jan Petykiewicz
;
Jia Zeng
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Delays;
Libraries;
Logic gates;
Metals;
Pins;
Gears;
Wires;
55.
Achieving High-Scalability Negative Capacitance FETs with Uniform Sub-35 mV/dec Switch Using Dopant-Free Hafnium Oxide and Gate Strain
机译:
使用无掺杂氧化Ha和栅极应变,通过均匀的低于35 mV / dec开关实现可扩展的负电容FET
作者:
Chia-Chi Fan
;
Chun-Hu Cheng
;
Chun-Yuan Tu
;
Chien Liu
;
Wan-Hsin Chen
;
Tun-Jen Chang
;
Chun-Yen Chang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Hafnium oxide;
Logic gates;
Strain;
Switches;
Stress;
Capacitance;
56.
The Complementary FET (CFET) for CMOS scaling beyond N3
机译:
CMOS扩展至N3以外的互补FET(CFET)
作者:
J. Ryckaert
;
P. Schuddinck
;
P. Weckx
;
G. Bouche
;
B. Vincent
;
J. Smith
;
Y. Sherazi
;
A. Mallik
;
H. Mertens
;
S. Demuynck
;
T. Huynh Bao
;
A. Veloso
;
N. Horiguchi
;
A. Mocuta
;
D. Mocuta
;
J. Boemmels
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
FinFETs;
Random access memory;
Routing;
Electrodes;
Standards;
Performance evaluation;
57.
Demonstration of Ultra-Low Voltage and Ultra Low Power STT-MRAM designed for compatibility with 0x node embedded LLC applications
机译:
演示旨在与0x节点嵌入式LLC应用兼容的超低压和超低功耗STT-MRAM
作者:
Guenole Jan
;
Luc Thomas
;
Son Le
;
Yuan-Jen Lee
;
Huanlong Liu
;
Jian Zhu
;
Jodi Iwata-Harms
;
Sahil Patel
;
Ru-Ying Tong
;
Vignesh Sundar
;
Santiago Serrano-Guisan
;
Dongna Shen
;
Renren He
;
Jesmin Haq
;
Zhongjian Jeffrey Teng
;
Vinh Lam
;
Yi Yang
;
Yu-Jen Wang
;
Tom Zhong
;
Hideaki Fukuza
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Switches;
Resistance;
Error analysis;
Writing;
Temperature;
Very large scale integration;
Temperature dependence;
58.
3D sequential stacked planar devices on 300 mm wafers featuring replacement metal gate junction-less top devices processed at 525°C with improved reliability
机译:
300 mm晶圆上的3D顺序堆叠平面器件,具有可在525°C进行处理的可替代金属栅极无结顶部器件,具有更高的可靠性
作者:
A. Vandooren
;
J. Franco
;
B. Parvais
;
Z. Wu
;
L. Witters
;
A. Walke
;
W. Li
;
L. Peng
;
V. Desphande
;
F.M. Bufler
;
N. Rassoul
;
G. Hellings
;
G. Jamieson
;
F. Inoue
;
G. Verbinnen
;
K. Devriendt
;
L. Teugels
;
N. Heylen
;
E. Vecchio
;
T. Zheng
;
E. Rosseel
;
W. Vanherle
;
A. Hikavyy
;
B. T. Chan
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
MOS devices;
Silicon;
Three-dimensional displays;
Logic gates;
Reliability;
Doping;
Annealing;
59.
Sub-550mV SRAM Design in 22nm FinFET Low Power (22FFL) Technology with Self-Induced Collapse Write Assist
机译:
采用自感应塌陷写入辅助功能的22nm FinFET低功耗(22FFL)技术中的550mV SRAM设计
作者:
Daeyeon Kim
;
Jami Wiedemer
;
Pramod Kolar
;
Ayush Shrivastava
;
Jinal Shah
;
Satyanand Nalam
;
Gwanghyeon Baek
;
Xiaofei Wang
;
Zheng Guo
;
Eric Karl
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Random access memory;
Power measurement;
Voltage measurement;
Frequency measurement;
Area measurement;
Transistors;
60.
Design Technology Co-Optimization in advanced FDSOI CMOS around the Minimum Energy Point: body biasing and within-cell V
T
-mixing
机译:
围绕最小能量点的高级FDSOI CMOS中的设计技术协同优化:体偏置和单元内V
T inf>混合
作者:
F. Andrieu
;
L. Pirro
;
R. Berthelon
;
J. Morgan
;
G. Cibrario
;
M. Wiatr
;
J. Hoentschel
;
M. Vinet
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Delays;
SPICE;
Silicon-on-insulator;
MOS devices;
Standards;
Inverters;
Energy efficiency;
61.
Self-organized gate stack of Ge nanosphere/SiO
2
/Si
1-x
Ge
x
enables Ge-based monolithically-integrated electronics and photonics on Si platform
机译:
Ge纳米球/ SiO
2 inf> / Si
1-x inf> Ge
x inf>的自组织栅堆叠使基于Ge的单片集成电子学和光子学成为可能硅平台
作者:
P. H. Liao
;
M. H. Kuo
;
C. W. Tien
;
Y. L. Chang
;
P. Y. Hong
;
T. George
;
H. C. Lin
;
P. W. Li
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Silicon;
Silicon germanium;
Strain;
Oxidation;
Substrates;
Photonic band gap;
62.
Integration of 2D Black Phosphorus Phototransistor and Silicon Photonics Waveguide System Towards Mid-Infrared On-Chip Sensing Applications
机译:
二维黑磷光电晶体管和硅光子学波导系统的集成,可用于中红外片上传感应用
作者:
Li Huang
;
Bowei Dong
;
Xin Guo
;
Yuhua Chang
;
Nan Chen
;
Xin Huang
;
Hong Wang
;
Chengkuo Lee
;
Kah-Wee Ang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Optical waveguides;
Phototransistors;
Logic gates;
Couplers;
Gratings;
Photoconductivity;
Photonics;
63.
Analog Spike Processing with High Scalability and Low Energy Consumption Using Thermal Degree of Freedom in Phase Transition Materials
机译:
利用相变材料中的热自由度实现高可扩展性和低能耗的模拟尖峰处理
作者:
T. Yajima
;
T. Nishimura
;
A. Toriumi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Delays;
Threshold voltage;
Energy consumption;
Capacitors;
Thermal analysis;
Resistance heating;
64.
Half-threshold bias I
off
reduction down to nA range of thermally and electrically stable high-performance integrated OTS selector, obtained by Se enrichment and N-doping of thin GeSe layers
机译:
通过Se富集和N掺杂薄GeSe层获得的半阈值偏置I
off inf>降低至热和电稳定的高性能集成式OTS选择器的nA范围
作者:
Naga Sruti Avasarala
;
G. L. Donadio
;
T. Witters
;
K. Opsomer
;
B. Govoreanu
;
A. Fantini
;
S. Clima
;
H. Oh
;
S. Kundu
;
W. Devulder
;
M. H. van der Veen
;
J. Van Houdt
;
M. Heyns
;
L. Goux
;
G. S. Kar
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Thermal stability;
Ions;
Stability analysis;
Resistance;
Doping;
Switches;
Films;
65.
Next-generation Fundus Camera with Full Color Image Acquisition in 0-lx Visible Light by 1.12-micron Square Pixel, 4K, 30-fps BSI CMOS Image Sensor with Advanced NIR Multi-spectral Imaging System
机译:
下一代眼底相机,可在0-lx可见光下通过1.12微米方形像素,4K,30 fps BSI CMOS图像传感器在0-lx可见光下进行采集,并具有高级NIR多光谱成像系统
作者:
Hirofumi Sumi
;
Hironari Takehara
;
Shunsuke Miyazaki
;
Daiki Shirahige
;
Kiyotaka Sasagawa
;
Takashi Tokuda
;
Yoshihiro Watanabe
;
Norimasa Kishi
;
Jun Ohta
;
Masatoshi Ishikawa
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Cameras;
Color;
Lighting;
Next generation networking;
CMOS image sensors;
Light emitting diodes;
66.
Memory Technology: The Core to Enable Future Computing Systems
机译:
内存技术:实现未来计算系统的核心
作者:
Scott DeBoer
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Random access memory;
Three-dimensional displays;
Memory management;
Lithography;
Program processors;
Nonvolatile memory;
Systems architecture;
67.
Revolutionizing Cancer Genomic Medicine by AI and Supercomputer with Big Data
机译:
通过人工智能和大数据超级计算机彻底改变癌症基因组医学
作者:
Satoru Miyano
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Bioinformatics;
Genomics;
Cancer;
Sequential analysis;
Drugs;
Supercomputers;
Databases;
68.
Thermal Management Research – from Power Electronics to Portables
机译:
热管理研究–从电力电子到便携式
作者:
Ki Wook Jung
;
Chi Zhang
;
Tanya Liu
;
Mehdi Asheghi
;
Kenneth E. Goodson
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Heating systems;
Cooling;
Power electronics;
Electronic packaging thermal management;
Thermal conductivity;
Copper;
69.
Sensors and related devices for IoT, medicine and s mart-living
机译:
用于物联网,医学和智能生活的传感器和相关设备
作者:
T. Ernst
;
R. Guillemaud
;
P. Mailley
;
J.P. Polizzi
;
A. Koenig
;
S. Boisseau
;
E. Pauliac-Vaujour
;
C. Plantier
;
G. Delapierre
;
E. Saoutieff
;
R. Gerbelot-Barillon
;
E. Calvanese Strinati
;
S. Hentz
;
E. Colinet
;
O. Thomas
;
P. Boisseau
;
P. Jallon
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Monitoring;
Biomedical monitoring;
Skin;
Temperature sensors;
Diseases;
70.
High Performance High Density Gas-FET Array in Standard CMOS
机译:
标准CMOS中的高性能高密度Gas-FET阵列
作者:
Qian Yu
;
Xiaopeng Zhong
;
Farid Boussaid
;
Amine Bermak
;
CY Tsui
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Standards;
Logic gates;
Gas detectors;
Switches;
Sensor arrays;
Sensitivity;
71.
High-sensitivity and low-power inertial MEMS-on-CMOS sensors using low-temperature-deposited poly-SiGe film for the IoT era
机译:
IoT时代使用低温沉积多晶硅薄膜的高灵敏度,低功耗惯性MEMS-CMOS传感器
作者:
Hideyuki Tomizawa
;
Yoshihiko Kurui
;
Ippei Akita
;
Akira Fujimoto
;
Tomohiro Saito
;
Akihiro Kojima
;
Hideki Shibata
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon germanium;
Micromechanical devices;
Sensors;
Silicon;
Power demand;
Sensitivity;
Fabrication;
72.
XNOR-SRAM: In-Memory Computing SRAM Macro for Binary/Ternary Deep Neural Networks
机译:
XNOR-SRAM:用于二进制/三元深度神经网络的内存中计算SRAM宏
作者:
Zhewei Jiang
;
Shihui Yin
;
Mingoo Seok
;
Jae-sun Seo
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Random access memory;
Hardware;
Quantization (signal);
Delays;
Decoding;
Frequency measurement;
MOS devices;
73.
Embedded STT-MRAM in 28-nm FDSOI Logic Process for Industrial MCU/IoT Application
机译:
适用于工业MCU / IoT应用的28nm FDSOI逻辑工艺中的嵌入式STT-MRAM
作者:
Yong Kyu Lee
;
Yoonjong Song
;
JooChan Kim
;
SeChung Oh
;
Byoung-Jae Bae
;
SangHumn Lee
;
JungHyuk Lee
;
UngHwan Pi
;
Boyoung Seo
;
Hyunsung Jung
;
Kilho Lee
;
HyunChul Shin
;
Hyuntaek Jung
;
Mark Pyo
;
Artur Antonyan
;
Daesop Lee
;
Sohee Hwang
;
Daehyun Jang
;
Yongsung Ji
;
Seungbae Lee
;
Jung
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Writing;
CMOS process;
Temperature distribution;
Tunneling magnetoresistance;
Transistors;
74.
Nonvolatile Circuits-Devices Interaction for Memory, Logic and Artificial Intelligence
机译:
非易失性电路-用于存储器,逻辑和人工智能的设备交互
作者:
Chun-Meng Dou
;
Wei-Hao Chen
;
Cheng-Xin Xue
;
Wei-Yu Lin
;
Wei-En Lin
;
Jun-Yi Li
;
Huan-Ting Lin
;
Meng-fan Chang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Nonvolatile memory;
Common Information Model (electricity);
Memory management;
Artificial intelligence;
Microprocessors;
Program processors;
75.
Hole mobility enhancement in extremely-thin-body strained GOI and SGOI pMOSFETs by improved Ge condensation method
机译:
通过改进的Ge凝聚法提高极薄应变GOI和SGOI pMOSFET的空穴迁移率
作者:
K.-W. Jo
;
W.-K. Kim
;
M. Takenaka
;
S. Takagi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Silicon germanium;
Cooling;
Strain;
Substrates;
Films;
Benchmark testing;
76.
Te-based binary OTS selectors with excellent selectivity (>105), endurance (>108) and thermal stability (>450°C)
机译:
基于Te的二元OTS选择器,具有出色的选择性(> 10 5 sup>),耐久性(> 10 8 sup>)和热稳定性(> 450°C)
作者:
Jongmyung Yoo
;
Yunmo Koo
;
Solomon Amsalu Chekol
;
Jaehyuk Park
;
Jeonghwan Song
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Thermal stability;
Tellurium;
Atomic measurements;
Leakage currents;
Stability analysis;
Switches;
Very large scale integration;
77.
First Experimental Demonstration of Negative Capacitance InGaAs MOSFETs With Hf
0.5
Zr
0.5
O
2
Ferroelectric Gate Stack
机译:
Hf
0.5 inf> Zr
0.5 inf> O
2 inf>铁电栅叠层的负电容InGaAs MOSFET的首次实验演示
作者:
Q. H. Luc
;
C. C. Fan-Chiang
;
S. H. Huynh
;
P. Huang
;
H. B. Do
;
M. T. H. Ha
;
Y. D. Jin
;
T. A. Nguyen
;
K. Y. Zhang
;
H. C. Wang
;
Y. K. Lin
;
Y. C. Lin
;
C. Hu
;
H. Iwai
;
E. Y. Chang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
MOSFET circuits;
Iron;
Annealing;
Indium gallium arsenide;
Logic gates;
MOSFET;
Silicon;
78.
Differentiated Performance and Reliability Enabled by Multi-Work Function Solution in RMG Silicon and SiGe MOSFETs
机译:
RMG硅和SiGe MOSFET中的多功函数解决方案可实现差异化的性能和可靠性
作者:
R. Bao
;
R. G. Southwick
;
H. Zhou
;
C. H. Lee
;
B. P. Linder
;
T. Ando
;
D. Guo
;
H. Jagannathan
;
V. Narayanan
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Silicon germanium;
Logic gates;
Reliability;
Hafnium compounds;
Performance evaluation;
79.
Process Optimization of Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Arrays for Last-Level Cache beyond 7 nm Node
机译:
垂直磁隧道结阵列的工艺优化,用于超过7 nm节点的最后一级缓存
作者:
Lin Xue
;
Chi Ching
;
Alex Kontos
;
Jaesoo Ahn
;
Xiaodong Wang
;
Renu Whig
;
Hsin-wei Tseng
;
James Howarth
;
Sajjad Hassan
;
Hao Chen
;
Mangesh Bangar
;
Shurong Liang
;
Rongjun Wang
;
Mahendra Pakala
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Magnetic tunneling;
Tunneling magnetoresistance;
Films;
Optimization;
Performance evaluation;
Error analysis;
Couplings;
80.
Highly Manufacturable Low Power and High Performance 11LPP Platform Technology for Mobile and GPU Applications
机译:
适用于移动和GPU应用的高度可制造的低功耗高性能11LPP平台技术
作者:
H.-J. Kim
;
B.H. Choi
;
Y.H. Lee
;
J.H. Ahn
;
Y.S. Bang
;
Y.D. Lim
;
J.H. Do
;
J.H. Jung
;
T.J. Song
;
Y. Yasuda-Masuoka
;
K.C. Park
;
S.D. Kwon
;
J.S. Yoon
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Performance evaluation;
Standards;
FinFETs;
Libraries;
Random access memory;
Very large scale integration;
Logic gates;
81.
Dependence of Reliability of Ferroelectric HfZrO
x
on Epitaxial SiGe Film with Various Ge Content
机译:
铁电体HfZrO
x inf>的可靠性对不同Ge含量的外延SiGe薄膜的影响
作者:
Kuen-Yi Chen
;
Yen-Hua Huang
;
Ruei-Wen Kao
;
Yan-Xiao Lin
;
Yung-Hsien Wu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Substrates;
Silicon germanium;
Semiconductor device reliability;
Very large scale integration;
Epitaxial growth;
82.
Modeling of FinFET Self-Heating Effects in multiple FinFET Technology Generations with implication for Transistor and Product Reliability
机译:
多代FinFET技术世代中FinFET自热效应的建模,对晶体管和产品的可靠性有影响
作者:
H. C. Sagong
;
K. Choi
;
J. Kim
;
T. Jeong
;
M. Choe
;
H. Shim
;
W. Kim
;
J. Park
;
S. Shin
;
S. Pae
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Heating systems;
Integrated circuit reliability;
Human computer interaction;
83.
Negative Capacitance, n-Channel, Si FinFETs: Bi-directional Sub-60 mV/dec, Negative DIBL, Negative Differential Resistance and Improved Short Channel Effect
机译:
负电容,n沟道,Si FinFET:双向Sub-60 mV / dec,负DIBL,负差分电阻和改进的短沟道效应
作者:
Hong Zhou
;
Daewoong Kwon
;
Angada B. Sachid
;
Yuhung Liao
;
Korok Chatterjee
;
Ava J. Tan
;
Ajay K. Yadav
;
Chenming Hu
;
Sayeef Salahuddin
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Hafnium compounds;
Capacitance;
Silicon;
Dielectrics;
Hysteresis;
Logic gates;
84.
8LPP Logic Platform Technology for Cost-Effective High Volume Manufacturing
机译:
8LPP逻辑平台技术,可实现经济高效的批量生产
作者:
Hwasung Rhee
;
Ilryong Kim
;
Jaehun Jeong
;
Nakjin Son
;
Heebum Hong
;
Sungil Cho
;
Yongmin Park
;
Dongwoo Kim
;
Yunki Choi
;
Jeonghoon Ahn
;
Sung Gun Kang
;
Kyunghwan Yeo
;
Jungtae Kim
;
Euncheol Lee
;
Jong Mil Youn
;
Jong Shik Yoon
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Logic gates;
Performance evaluation;
Gain;
Production;
FinFETs;
Microprocessors;
85.
Power-performance Trade-offs for Lateral NanoSheets on Ultra-Scaled Standard Cells
机译:
超尺度标准电池上横向纳米片的功率性能折衷
作者:
M. Garcia Bardon
;
Y. Sherazi
;
D. Jang
;
D. Yakimets
;
P. Schuddinck
;
R. Baert
;
H. Mertens
;
L. Mattii
;
B. Parvais
;
A. Mocuta
;
D. Verkest
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Wires;
Logic gates;
Performance evaluation;
FinFETs;
Capacitance;
Metals;
Geometry;
86.
Enabling CMOS Scaling Towards 3nm and Beyond
机译:
使CMOS缩放比例达到3nm甚至更高
作者:
A. Mocuta
;
P. Weckx
;
S. Demuynck
;
D. Radisic
;
Y. Oniki
;
J. Ryckaert
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Logic gates;
Random access memory;
Standards;
Metals;
Business process re-engineering;
87.
Smart scaling technology for advanced FinFET node
机译:
用于高级FinFET节点的智能缩放技术
作者:
Jongwook Kye
;
Hoonki Kim
;
Jinyoung Lim
;
Seungyoung Lee
;
Jonghoon Jung
;
Taejoong Song
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2018年
关键词:
Random access memory;
Very large scale integration;
FinFETs;
Libraries;
Flip-flops;
Redundancy;
Threshold voltage;
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